天津晶圆理片器硅片对边器
| 供应商 | 苏州硕世微电子有限公司 店铺 |
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| 认证 | |
| 报价 | 面议 |
| 关键词 | 晶圆理片器硅片对边器,天津晶圆理片器,生产晶圆理片器,销售晶圆理片器 |
| 手机号 | 15962404138 |
| 总监 | 张日平联系时请一定说明在黄页88网看到 |
| 所在地 | 东富路32号 |
| 更新时间 | 2024-12-30 02:05:05 |
详细介绍
现阶段，硬脆材料切割技术主要有外圆切割、内圆切割和线铭切割。外圆切割组然操作简单，但据片刚性差，切割全过程中锯片易方向跑偏.造成被切割工们的平面度差；而内圆切割只有进行直线切割，没法进行斜面切割。线锯切割技术具备割缝窄、率、切成片、可进行曲线图切别等优点成为口前普遍选用的切割技术。
在过去三十年期间，切片(dicing)系统与刀片(blade)已经不断地改进以对付工艺的挑战和接纳不同类型基板的要求。新的、对生产率造成大影响的设备进展包括：采用两个切割(two cuts)同时进行的、将超程(overtravel)减到小的双轴(dual-spindle)切片系统。
在许多晶圆的切割期间经常遇到的较窄迹道(street)宽度，要求将每一次切割放在迹道中心几微米范围内的能力。这就要求使用具有高分度轴精度、高光学放大和对准运算的设备。当用窄迹道切割晶圆时的一个常见的推荐是，选择尽可能薄的刀片。可是，很薄的刀片(20µm)是非常脆弱的，更容易过早破裂和磨损。结果，其寿命期望和工艺稳定性都比较厚的刀片差。对于50~76µm迹道的刀片推荐厚度应该是20~30µm。
顶面碎片(TSC, top-side chipping)，它发生晶圆的顶面，变成一个合格率问题，当切片接近芯片的有源区域时，主要依靠刀片磨砂粒度、冷却剂流量和进给速度。背面碎片(BSC, back-side chipping)发生在晶圆的底面，当大的、不规则微小裂纹从切割的底面扩散开并汇合到一起的时候(图1b)。当这些微小裂纹足够长而引起不可接受的大颗粒从切口除掉的时候，BSC变成一个合格率问题。
切片工艺变得越来越且要求高。切割迹道变得越窄，可能充满测试用衰耗器(test pad)，并且刀片可能需要切割由不同材料制成的各种涂敷层。在这些条件下达到大的切片工艺合格率和生产率要求认真的刀片选择和的工艺控制能力。
一种全自动晶圆划片机，包括机架，机架的一侧设置有激光器，激光器的下方设置有旋转划片工作台，其特征在于：机架的另一侧设置有自动放收料装置，自动放收料装置的旁侧设置有理料机构，自动放收料装置与理料机构之间连接有夹料机械手，理料机构与划片工作台之间设置有两组相互错位的吸料机械手。
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