武汉生产晶圆理片器硅片自动找平

晶圆在加工过程中，需要对其进行划片处理，目前现有的晶圆划片设备村子按以下不足：1、晶圆初的放置随意性较大，影响后续晶圆的对正工作；2、每次只能对晶圆的一个表面进行划片处理，导致正反面划片的深度难以控制，增加了后期打磨的工作。

现阶段，硬脆材料切割技术主要有外圆切割、内圆切割和线铭切割。外圆切割组然操作简单，但据片刚性差，切割全过程中锯片易方向跑偏.造成被切割工们的平面度差；而内圆切割只有进行直线切割，没法进行斜面切割。线锯切割技术具备割缝窄、率、切成片、可进行曲线图切别等优点成为口前普遍选用的切割技术。

通常，切割的硅晶圆的质量标准是：如果背面碎片的尺寸在10µm以下，忽略不计。另一方面，当尺寸大于25µm时，可以看作是潜在的受损。可是，50µm的平均大小可以接受，示晶圆的厚度而定。现在可用来控制背面碎片的工具和技术是刀片的优化，接着工艺参数的优化。

为了接收今天新的切片挑战，切片系统与刀片之间的协作是必要的。对于(high-end)应用特别如此。刀片在工艺优化中起主要的作用。为了接纳所有来自于迅速的技术发展的新的切片要求，今天可以买到各种各样的刀片。这使得为正确的工艺选择正确的刀片成为一个比以前更加复杂的任务。

切片工艺变得越来越且要求高。切割迹道变得越窄，可能充满测试用衰耗器(test pad)，并且刀片可能需要切割由不同材料制成的各种涂敷层。在这些条件下达到大的切片工艺合格率和生产率要求认真的刀片选择和的工艺控制能力。

随着信息化时代的到来，我国电子信息、通讯和半导体集成电路等行业迅猛发展，我国已经成为世界二极管晶圆、可控硅晶圆等集成电路各种半导体晶圆制造大国。传统的旋转砂轮式晶圆切割技术在实际生产中受到工艺极限的影响，晶圆加工存在机械应力、崩裂、加工效率低、成品率低的情况，的限制了晶圆制造水平的发展。传统晶圆切割手段已经无法满足晶圆产品率、生产需求。因此，旋转砂轮式切割工艺所伴随的问题是无法通过工艺本身的优化来完全解决的，亟需采取新的加工方式解决晶圆切割划片的瓶颈；现有划片机自动化程度及功能都很难满足电子器件生产的可靠性和技术性能要求。

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