奉贤供应肖特基二极管现货供应
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更新时间 2025-02-28 19:21:19

详细介绍

肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子,贵金属中仅有极少量的自由电子,所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然,金属A中没有空穴,也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A,B表面电子浓度逐渐降低,表面电中性被破坏,于是就形成势垒,其电场方向为B→A。但在该电场作用之下,A中的电子也会产生从A→B的漂移运动,从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后,电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡,便形成了肖特基势垒。

对于点接触型肖特基二极管,它在微波通信电路方面具有重要地位。此外,铝硅肖特基二极管在高频电路中扮演着检波和鉴频的角色,取代了传统的检波二极管。需要注意的是,肖特基二极管的反向耐压相对较低,不适用于高反压电路。

肖特基二极管的特点

1、肖特基二极管的高度要比PN结势垒的高度更低,同时它正向导通门限电压以及正向电压都要比PN结二极管低。

2、肖特基二极管是一种多数载流子导电的器件,而且它的电容的充电和放电时间和速度与同类的器件相比有所不同。同时因为肖特基二极管本身的电荷比较的少,所以在正真运行的过程中它的开关的速度是非常快的,而且它在运作过程中的消耗量也是非常小,很适用于那些高频的操作。

3、肖特基二极管具有反向势垒比较薄的特点,因此在运行的过程中容易对表面造成一定的伤害,所以它的反向击穿电压就比较低了。

4、肖特基二极管与其它相似的器件相比,比较容易受热击穿,所以它本身的反向漏电流是比较大的。

SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。

面结合型管性能要优于点接触管,

主要原因在于:
1) 点接触管表面不易清洁,针点压力会造成半导体表面畸变。其接触势垒不是理想的肖特基势垒受到机械震动时还会产生颤抖噪声。面结合型管金半接触界面比较平整不暴露而较易清洁其接触势垒几乎是理想的肖特基势垒。

2) 不同的点接触管在生产时压接压力不同使得肖特基结的直径不同。因此性能一致性差可靠性也差。
开关电源有高频变压器、高频电容、高反压大功率晶体管、功率整流二极管、控制IC等主要部件组成。次级整流二极管作为耗能部件,损耗大,(约占电源功耗的30%),发热高,它的选用对电源的整机效率和可靠性指标是非常关键的因素,这就要求整流二极管在高速大电流工作状态下应具有正向压降VF小、反向反向漏电IR小、恢复时间Trr短的特性。

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