供应商 | 北京汐源科技有限公司 店铺 |
---|---|
认证 | |
报价 | 面议 |
关键词 | 湖北硅晶碇切片胶,芯片导电胶 ,硅晶碇切片胶晶圆,叠die粘接 |
手机号 | 18515625676 |
总监 | 徐发杰联系时请一定说明在黄页88网看到 |
所在地 | 北京建国路15号院 |
更新时间 | 2024-06-30 07:05:14 |
前30 min顶部沉积速率的异常下降是由于预处理后时间过
长造成的。在电化学反应之前铜离⼦和添加剂分⼦的充分扩
散导致在初始阶段相对较快的沉积。随着反应的进⾏,电解
液中的铜离⼦从阴极接受电⼦并不断转化为铜。随着纵横比
的增加,铜离⼦向底部的扩散速率降低。铜离⼦的传质限制
降低了沉积到底部的速率。同时,铜离⼦在顶部的积累提⾼
了沉积速率。逐渐地,顶部的电沉积速率超过底部的电沉积
速率,终导致接缝缺陷。
在电沉积⼯艺之前,对 TSV 芯片进⾏预处理以排除通孔中的
空⽓并润湿种⼦层。,将 TSV 芯片放⼊吸瓶中并浸⼊去
离⼦⽔中。然后,使用⽔循环泵将抽吸瓶抽空⾄负⽓氛。在
负压下,通孔中的空⽓被推⼊样品片表面。此外,应用间歇
性超声振动去除表面⽓泡,直⾄⽆⽓泡出现,表明预处理完
成。因此,TSV芯片迅速移动到电镀槽中并保持静⽌⾜够长
的时间以确保电镀溶液在通孔内充分扩散。
封装之TSV及TGV技术初探
其中,玻璃诱导刻蚀法如下:
1) 使用皮秒激光在玻璃上产⽣变性区域;2)将激光处理过的玻璃放在 氢氟酸溶液
中进⾏刻蚀。
关键词:湖北硅晶碇切片胶,芯片导电胶 ,硅晶碇切片胶晶圆,叠die粘接