安徽HBT10L200SFCTLOWVF肖特基二极管

SBD的主要优点包括两个方面：

1）由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。

2）由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。

但是，由于SBD的反向势垒较薄，并且在其表面极易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿，反向漏电流比PN结二极管大。

肖特基二极体大的缺点是其反向偏压较低及反向漏电流偏大，像使用硅及金属为材料的肖特基二极体，其反向偏压额定耐压高只到50V，而反向漏电流值为正温度特性，容易随着温度升高而急遽变大，实务设计上需注意其热失控的隐忧。为了避免上述的问题，肖特基二极体实际使用时的反向偏压都会比其额定值小很多。不过肖特基二极体的技术也已有了进步，其反向偏压的额定值大可以到200V。

肖特基二极管在PCB电路设计与SMT贴片生产制造中主要应用于以下几个方面：

电源管理：肖特基二极管可用作电源管理中的整流、限流和稳压元件。
射频电路：在射频电路中，肖特基二极管可用作检波器、混频器和振荡器等。
高速数字电路：在高速数字电路中，肖特基二极管可用作开关和逻辑电路中的元件。

肖特基二极管是由PN结和金属接触界面组成的特殊二极管，具有以下特点：

正向电压下具有极低的正向压降（仅为0.2V左右），因此具有快速开关特性，被广泛应用于高频电路中。
反向电流大，但有稳定的温度特性和阻挡电容特性，适用于稳压、限流以及检测等领域。
耐辐射能力强，是航空航天领域常用器件之一。

LOW VF肖特基二极管的直流电压降低:因为肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，所以其正向导通MOSFET和正向压降均低于PN结二极管(约低0.2V)。LOW VF肖特基二极管具有高工作频率:由于肖特基二极管中少数载流子的存储效应很小，其频率响应只受RC时间常数的限制，因此是高频快速开关的理想器件。它的工作频率可以达到100千兆赫。
LOW VF肖特基二极管在微波通信电路中用作整流二极管和小信号检测二极管。它常用于通信电源、变频器等。一个典型的应用是，在双极晶体管BJT的开关电路中，LOW VF肖特基二极管连接到BJT箝位电路，使得晶体管在导通状态时实际上处于非常关断的状态，从而提高晶体管的开关速度。该方法适用于典型数字集成电路的TTL内部电路，如74LS、74ALS和74AS。

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