全新功率模块型号,电机功率模块

富士IGBT模块通过几个关键特性实现了这些优势：

‌低损耗‌：通过优化IGBT元件以及二极管元件的厚度，实现了小型化，从而优化了元件结构。这降低了变频器运行时的电力损耗，与以往产品相比，变频器损耗降低了10%，芯片温度降低了11℃。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

此外，还可以采用可调电流模式来实现负载管理，同时具备转换效率、带有软启动技术、低滞后、低噪声特性和低共振特性，这些特性使其成为电气和工业控制应用的理想选择。