三代半加压烧结银替代日本烧结银车规碳化硅烧结银

而在电动车辆中，电力电子器件节省空间、重量轻、并且即使在恶劣的条件下也要工作可靠。为了满足这些要求，传统基于模块的封装方式已经不能适应下游市场发展的需要，

个难题：烧结银膏技术
在芯片与基板的连接中，传统有基板焊接功率模块中，焊接连接往往是模块上的机械薄弱点。

与传统的高温无铅钎料相比，AS9385有压银烧结技术烧结连接层成分为银，具有的导电和导热性能，由于银的熔点高达961℃，将不会产生熔点小于300℃的软钎焊连层中出现的典型疲劳效应，具有的可靠性，且其烧结温度和传统软钎焊料温度相当。

相比焊接模块，加压烧结银的银烧结技术对模组结构、使用寿命、散热产生了重要影响，采用银烧结技术可使模块使用寿命提高5-10倍，

烧结层厚度较焊接层厚度薄60-70%，热传导率提升5倍，国内外诸多厂商把银烧结技术作为第三代半导体封装的核心技术，银烧结技术成为芯片与基板之间连接的选择.

芯片连接采用银烧结合金而不是焊接，烧结连接熔点更高，这意味着在给定温度摆幅下连接的老化率将低得多，功率模块的热循环能力可增加5倍。