FQP55N10,场效应管(MOSFET)ON原装优势供应商

2025-02-22 07:50:17

MM74HC08简述:
MXMM74HC08 AND门采用的硅栅CMOS技术,可实现与LS-TTL门相似的工作速度,并具有标准CMOS集成电路的低功耗。HC08 具有缓冲输出,提供高抗噪性,并能够驱动 10 个 LS-TTL 负载。74HC 逻辑系列在功能和引脚排列上与标准 74LS 逻辑系列兼容。所有输入均受到内部二极管箝位的保护,不会因静电放电而损坏至 V抄送和地面。
ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
FCH110N65F-F155
NVH4L060N090SC1
NTH4L070N120M3S
NTH4L045N065SC1
NTH4L014N120M3P
NTH4L060N090SC1
NTH4L022N120M3S
NVH4L045N065SC1
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FSUSB42MUX
FSUSB42是一款双向、低功耗、双端口、高速USB2.0开关。配置为双刀双掷开关 (DPDT) 开关,针对在两个高速 (480Mbps) 源或高速和全速 (12Mbps) 源之间切换进行了优化。该FSUSB42兼容 USB2.0 的要求,并具有极低的导通电容 (C上)为5.5pF。该器件的宽带宽(720MHz)超过了通过三次谐波所需的带宽,从而使信号具有小的边沿和相位失真。出色的通道间串扰也大限度地减少了干扰。该FSUSB42在开关 I/O 引脚上包含特殊电路,用于 V抄送电源断电(V抄送=0),允许器件承受过压条件。该器件旨在将电流消耗降至低,即使施加到 SEL 引脚的控制电压低于电源电压 (V抄送).此功能对于超便携应用(如手机)特别有价值,允许与基带处理器的通用 I/O 直接连接。其他应用包括便携式手机、PDA、数码相机、打印机和笔记本电脑中的开关和连接器共享。
ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
NVH4L080N120SC1
NVH4L160N120SC1
NTH4L075N065SC1
NTH4L060N065SC1
NTH4L040N120M3S
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NCV1117DT50RKG
NCP1117 系列是低压差 (LDO) 正线性稳压器,能够在整个温度范围内提供超过 1.0 A 的输出电流,大压差为 1.2 V(800 mA)。该系列包含 1.5 V、1.8 V、2.0 V、2.5 V、2.85 V、3.3 V、5.0 V 和 12 V 的 1 个固定输出电压,没有维持稳压的小负载要求。此外,还包括一个可调输出版本,可通过两个外部电阻器在 25.18V 至 8.1V 范围内进行编程。片上微调将基准/输出电压调节至+/- 0.1117%精度以内。内部保护功能包括输出电流限制、安全工作区补偿和过温关断保护。NCP20 系列可在高达 223 V 的输入电压下工作。器件采用 SOT<> 和 DPAK 封装。
ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
ADT7462ACPZ-REEL
CAT24M01HU5I-GT3
MC74ACT541DWR2G
74VCX163245MTDX
FFH50US60S-F085
NCV97400MW00R2G
NCP81111MNB5TXG
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FDC6330L适用于需要 3V 至 20V 输入和 2.3A 输出电流能力的便携式电子设备中的紧凑型电源管理。该负载开关集成了一个小型 N 沟道功率 MOSFET (Q1),该 MOSFET 在一个微型 SuperSOT-2™ 封装中驱动一个大型 P 沟道功率 MOSFET (Q6)。
ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
NCV4276CDSADJR4G
NCP3335ADM180R2G
NCP3335ADM250R2G
NCV8730ASN330T1G
NCV8730ASN330T1G
NCV59749MNADJTBG
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NCP4318BLCDR2G:
NCP4318是一种混合模式,它使用瞬时漏极电压和先前死区时间信息,用于LLC谐振转换器的同步整流(SR)控制器,只需少的外部元件。自适应死区时间控制可补偿感应寄生电感电压,以大限度地提高SR MOSFET导通和效率。多级关断阈值控制和 SR 电流反转检测功能可防止快速负载瞬变期间的反转电流,并允许在整个负载范围内稳定地 SR 操作。此外,为了提高轻载效率,VGATE自适应地从10V降至6V/5V。ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
ISL9V5036P3-F085
AFGY160T65SPD-B4
FGH50T65SQD-F155
FGH50T65SQD-F155
FGH75T65SHD-F155
FGH75T65SHD-F155
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FSA2567UMX简述:
模拟开关(DPDT、SPDT、SPST 和其他配置),用作音频、数据和信号的模拟多路复用器和解复用器。
FSA2567是一款双向、低功率、双双极、,针对双SIM卡的双掷(4PDT)模拟开关多路复用。它经过优化,可用于切换WLAN−SIM数据和控制信号,并将一个通道为电源开关。FSA2567兼容SIM卡和具有10 pF的低导通电容(CON),以确保高速数据传输。VSIM开关路径具有低RON特性确保双SIM卡供电路径中的电压降小。FSA2567包含可将电流降至低的特殊电路当施加到SEL引脚的控制电压较低时的消耗而不是电源电压(VCC)。此功能在以下方面特别有价值超便携应用程序,如手机;允许直接与基带处理器的通用I/O接口。其他应用程序包括中的交换和连接器共享便携式手机、掌上电脑、数码相机、打印机和笔记本电脑计算机。
ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
NVMFWD024N06CT1G
NVMFWS016N06CT1G
NVMFWS020N06CT1G
NVMYS003N08LHTWG
NVMYS2D1N04CLTWG
NVMYS4D1N06CLTWG
PCS3P8504AG-08CR
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NCV8450ASTT3G简述:
该NCV8450是一款完全受保护的高侧智能分立器件,典型 RDSOn 为 1 Ω,内部电流限制为 0.8 A(典型值)。该器件可以切换各种电阻、电感和容性负载。
ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
ISL9V5045S3ST-F085C
NVMFS5C612NLWFAFT1G
FCPF250N65S3L1-F154
NVMFS5C410NWFAFT3G
FCH165N65S3R0-F155
NVMFS5C404NWFAFT1G
NB7NPQ1404E2MMUTWG
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NCP1399ACDR2G
NCP1399是一款用于半桥谐振转换器的电流模式控制器。这款控制器实施了600V栅极驱动器,简化了布局,减少了所需的外部组件数量。内置的欠电压输入功能简化了控制器在所有应用中的实现。在需要PFC前级的应用中,NCP1399具有一个输出来驱动PFC控制器。这个功能结合的Skip模式技术进一步提高了整个应用的轻负载能效。NCP1399提供了一套保护功能,可实现在任何应用中的安全运行。其中包括:过载保护、防止硬开关周期的过电流保护、欠电压检测、开路光耦合器检测、自动死区时间调节、过电压(OVP)和过温(OTP)保护。
ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
MC74LVXT8051DR2G
NB7NPQ1002MMTTWG
NCP1253BSN100T1G
NCP3335AMN280R2G
NCP380LSNAJAAT1G
NCP45520IMNTWG-L
NCP716BCSN330T1G
NCP716BCSN500T1G
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NCV7356D1R2G/NCV7356D2R2G简述:
NCV7356 是一款用于单线数据链路的物理层器件,能够使用多种具碰撞分解的载波感测多重存取 (CSMA/CR) 协议运行,如博世控制器区域网络 (CAN) 2.0 版。此串行数据链路网络适用于不需要高速数据的应用,低速数据可在物理介质部件和微处理器和/或使用该网络的逻辑器件中实现成本降低。该网络应该能够以正常数据速率模式或高速数据下载模式运行,适用于组装生产线和服务数据传输运行。高速模式仅在总线连接板外服务节点时运行。此节点应提供实现更高速运行的临时总线电子负载。此类临时负载在不执行下载运行时应消除。正常通信的典型比特率为 33 kbit/s,对于上述高速传输,推荐的典型比特率为 83 kbit/s。NCV7356 是根据单线 CAN 物理层规范 GMW3089 V2.3 设计的,支持很多附加功能,如欠压锁定、故障阻断输入信号超时、总线振铃时的输出间隔时间,以及极低睡眠模式电流。ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
AR0134CSSC00SPCA0-DPBR
AR0130CSSC00SPCA0-DPBR
AR0130CSSM00SPCA0-DRBR
AR0230CSSC12SUEA0-DR-E
NCH-RSL10-101Q48-ABG
NCH-RSL10-101S51-ACG
MICROFC-60035-SMT-TR
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标签:ONSEMI安森美常用型号15-500
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