台州肖特基二极管供应商

肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。

SBD的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用作高频整流，在非常高的频率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用于检波和混频，在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBD、TTL集成电路早已成为TTL电路的主流，在高速计算机中被广泛采用。

肖特基二极管的特之处在于其快速的反向恢复时间，可在几纳秒的范围内。同时，它的正向电流也能达到儿千安培，具备大电流、低功耗、速等特性。相较于传统PN结二极管，肖特基二极管的正向压降（UDF）只有后者的一半至三分之一，trr（反向恢复时间）约为10纳秒，使其在特定应用中表现出色。

对于点接触型肖特基二极管，它在微波通信电路方面具有重要地位。此外，铝硅肖特基二极管在高频电路中扮演着检波和鉴频的角色，取代了传统的检波二极管。需要注意的是，肖特基二极管的反向耐压相对较低，不适用于高反压电路。

肖特基二极管的优点：器件本身具有很高的开关频率，而且它的反向击穿电压比较的低。同时因为技术的不断改进，对新型材料的使用，使得肖特基二极管本身充满了生机以及很强的竞争力。
肖特基二极管结构肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）电场消除材料、N-外延层（砷材料）、N型硅基片、N+阴极层及阴极金属等构成。在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。