硅胶材料包胶聚合物合成材料LED固晶胶行业胶LED封装胶

固化时间24小时联系人鲍红美

耐高温胶，也称耐高温无机粘合剂，耐高温胶由于采用耐高温溶液，一般可以达到500-2300℃。耐高温胶是一种利用无机纳米材料经缩聚反应制成的耐高温无机纳米复合粘结剂，通过对成分配比以及制备工艺参数的筛选，得到粘结剂是PH值为中性的悬浮分散体系，不仅粘结力强且对金属基体无腐蚀性，涂料应用温度范围广，可在2300℃的高温下保持良好的粘接性能和抗腐蚀性，使用寿命长。可用于高温炉窑炉衬材料中，如可与骨料配制成整体构筑材料和修补材料，砌筑材料，接缝材料等不定形耐火材料。

四、使用说明                                           

 产品工艺性能较好，可直接施工，施工方法可采用毛笔涂抹、滚涂、点胶机自动挤出或丝网印刷。

 对所有接触表面用溶剂清洁后再涂抹硅脂，填满间隙的前提下越薄越好，多涂并无益处，反而会影响热传导

效率。

 用干净的工具如剃刀片，信用卡边或干净的小刀挑起少许导热硅脂转移到施工部位，用刮板刮平，再用无绒布将施工部

位周边多余的导热硅脂擦干净。

五、包装                                             

 塑料筒装，净容量为300ML、500ML、1L、5L；

 金属软管包装, 净容量为50ML、100ML 300ML 2600ML 10KG。

光刻工艺约占整个芯片制造成本的35%，耗时占整个芯片工艺的40%~60%，是半导体制造中核心的工艺。
以半导体光刻胶为例，在光刻工艺中，光刻胶被均匀涂布在衬底上，经过曝光(改变光刻胶溶解度)、显影(利用显影液溶解改性后光刻胶的可溶部分)与刻蚀等工艺，将掩膜版上的图形转移到衬底上，形成与掩膜版完全对应的几何图形。
光刻技术随着IC集成度的提升而不断发展。为了满足集成电路对密度和集成度水平的更高要求，半导体用光刻胶通过不断缩短曝光波长以提高极限分辨率，世界芯片工艺水平目前已跨入微纳米级别，光刻胶的波长由紫外宽谱逐步至g线（436nm）、i线（365nm）、KrF（248nm）、 ArF（193nm）、F2（157nm），以及的EUV(<13.5nm)线水平。