选择具有优良电气特性的功率二极体,是实现率电力电子系统的关键因素。这里推荐使用强茂PSDD0860S1、PSDP08120S1等型号,其电压范围为600V-1200V,适合应用于各种电源系统中做为整流或续流的功能。
通常,5~20A的快恢复二极管采用TO-220FP塑料封装,20A以上的大功率快恢复二极管采用顶部带金属散热片的TO-3P塑料封装,5A一下的快恢复二极管则采用DO-41,DO-15,或D0-27等规格塑料封装。
、节能、节电和节材,并能提高产品质量和劳动生产率的高频逆变装置将逐步替代目前正在大量生产、体积庞大、效率低和对电网污染严重的晶闸管工频电源,对加速我国电力电子产品的更新换代周期将起到决定性作用。
快恢复二极管芯片PN结构终止区用采用玻璃钝化技术,其热膨胀系数与硅的热膨胀系数相匹配。所有的硅芯片越来越多的使用保护环平面技术和沟道阻断来降低芯片的表面电场。
快恢复二极管(Fast Recovery Diode,简称FRD)是一种具有快速反向恢复时间的二极管。它在电源电路和高速开关电路中应用广泛,可以提高整流效率、降低电源噪声、减少开关损耗,提高电路的可靠性和稳定性。
快恢复二极管与常规的二极管结构类似,由正向PN结和反向PN结构成。但快恢复二极管在两侧分别加入了一层高浓度的掺杂区域,形成了一个带有浅反型层的PN结。当反向电压施加到二极管上时,由于反型层的存在,使得该层内的载流子在接近PN结时重新被抽出,从而缩短反向恢复时间。