硅单晶主要技术参数有导电类型、电阻率与均匀度、非平衡载流子寿命、晶向与晶向偏离度、晶体缺陷等。 导电类型 导电类型由掺入的施主或受主杂质决定。P型单晶多掺硼,N型单晶多掺磷,外延片衬底用N型单晶掺锑或砷
热导率较大。化学性质稳定,又易于形成稳定的热氧化膜。在平面型硅器件制造中可以用氧化膜实现PN结表面钝化和保护,还可以形成金属-氧化物-半导体结构,制造MOS场效应晶体管和集成电路。上述性质使PN结具有良好特性,使硅器件具有耐高压、反向漏电流小、、使用寿命长、可靠性好、热传导好,并能在200高温下运行等优点。
全球光伏回收产业市场潜力,国际能源署预计到2050年全球将有近8000万吨,约43亿块报废光伏组件需要处理,由于玻璃、铝、硅等材料、以及银、铟等稀有元素可以回收回用,回收也将产生约150亿美元的市场价值;中国光伏行业协会预测到2030年中国也将面临回收150万吨报废组件,2050年将达到2000万吨,随着近年来的大规模既有项目的技改,中国光伏回收高峰将提前到来。