大面积烧结银AS9387成为碳化硅功率器件封装的
传统功率模块中,芯片通常通过锡焊材料连接到基板。在热循环过程中,连接界面通过形成金属间化合物层形成芯片、锡焊料合金与基板的互联
2018年标志性的转变---使用碳化硅MOSFET替换传统硅基IGBT于主驱逆变器中,为碳化硅技术在电动汽车中的广泛应用奠定了基础。此后,多家国内新能源汽车品牌纷纷投身碳化硅器件的研发应用。新技术的不断涌现,如800V高压快充,以及新能源汽车市场的持续扩张,促进了碳化硅的飞速发展。
随着800V碳化硅技术日益普及,善仁新材的烧结银技术为汽车电力电子产品封装提供了革命性的解决方案,其应用前景备受关注。
从2017年起,善仁新材在烧结银材料的研发与生产方面走在行业,提供多款产品以适应各种应用场景。从AS9000系列银墨水,到AS9100系列纳米银浆、再到AS9300系列烧结银膏,善仁新材一直烧结银的技术应用,以满足市场的多样化需求。
AS9378烧结银的低温低压烧结效果好:为了适应大面积烧结,烧结银膏需要较低的温度和压力下达到良好的烧结效果,同时需要确保烧结质量的一致性和模块的可靠性。善仁新材利用自主研发的纳米银粉解决了这一问题。
功率模块封装技术的重要趋势之一是在功率模块中越来越多地使用碳化硅MOSFET作为Si IGBT的替代品,特别是在电动车的应用中。这导致了对能够承受更高工作温度的功率模块封装材料的日益增长的需求,例如银烧结芯片粘接、的低杂散电感电气互连、Si3N4-AMB衬板、结构化底板以及高温稳定的封装材料。