F3L100R07W2E3

连焌烺 | 来源：深圳市明烽威电子有限公司发布时间：2020-07-20

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产品单价	1.00元/个
起订量	1个
供货总量	100000 个
发货期限	自买家付款之日起1天内发货
品牌	英飞凌
品质	原装

F3L100R07W2E3

F3L100R07W2E3中文资料

功能描述:IGBT 模块 IGBT MODULES 650V 100A RoHS:否制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules

配置:Dual 集电极—发射电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极

—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 大工作温度:+ 125 C 封装/箱体:34MM

F3L100R07W2E3_B11

F3L100R07W2E3_B11

F3L100R07W2E3_B11

F3L100R07W2E3_B11

制造商: Infineon

产品种类: IGBT 模块

RoHS: 详细信息

封装: Tray

商标: Infineon Technologies

CNHTS: 8541290000

HTS代码: 8541290095

MXHTS: 85412999

产品类型: IGBT Modules

工厂包装数量: 15

子类别: IGBTs

TARIC: 8541290000

零件号别名: F3L100R07W2E3

F3L100R07W2E3中文资料

功能描述:IGBT 模块 IGBT MODULES 650V 100A RoHS:否制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules

配置:Dual 集电极—发射电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极

深圳市明烽威电子有限公司
联系人	连焌烺
微信	无
手机	18188631174
邮箱	597204924@qq.com
传真	无
地址	深圳市福田区中航路都会100大厦B座14Q室
主营产品	nxp恩智浦,st意法,ti德州仪器,on安森美
网址	http://m.huangye88.com/qiye_lian99/

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