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半导体芯片制造是一个复杂的过程，涉及一系列协调的精密操作。众所周知，在这些操作的各个步骤中，半导体衬底的表面会被一层由微粒、有机材料、金属杂质和天然氧化物组成的残留物所污染。

在后端金属硬掩模(HM)蚀刻工艺和后端金属硬掩模蚀刻沟槽的侧面期间，羽流将蚀刻材料喷淋到晶片表面上。然后，这种材料可以与晶片上的其他污染物相互作用，形成金属污染膜，随后进行湿法清洗操作，用一种含有水和稀释氢氟酸的清洗剂去除残留物。但事实上存在副作用，在金属硬掩模(HM)蚀刻后，当表面暴露于ST250湿法清洗的酸中时，薄膜材料性质会发生变化，这在金属HM的当前步骤中无法通过检查工具进行测量。在随后的AIO蚀

但是，这会导致刻工艺中部分蚀刻通孔(图1)。此外，更糟糕的情况是，当缺陷位于金属线边缘时，会发生金属桥接(图2)，这将导致线端成品率严重下降