静电和浪涌电压会损坏LED,建议接触LED 时佩戴防静电环和防静电手套。 所有设备、装置和机器接地,建议采取相应措施防止浪涌电压击穿LED。
发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成,也具有单向导电性。当给发光二极管加上正向电压后,从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子,在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合,产生自发辐射的荧光。不同的半导体材料中电子和空穴所处的能量状态不同。当电子和空穴复合时释放出的能量多少不同,释放出的能量越多,则发出的光的波长越短。常用的是发红光、绿光或黄光的二极管。发光二极管的反向击穿电压大于5伏。它的正向伏安特性曲线很陡,使用时串联限流电阻以控制通过二极管的电流。
通信、信息处理和光耦合等应用要求LED有良好的方向性。适于光通信应用的两种主要光源是高辐射度LED和半导体注入激光器。LED稳定、可靠、寿命长、驱动电路简单、功率对温度不敏感,广泛用作中、短距离(铁路、电力、交通、公安等)光通信系统的光源。GaAlAs-GaAs面发光管的带宽为10~20兆赫,适用于二次群光通信系统(可传输120路电话),传输距离大于5公里。GaAlAs-GaAs快速边发光管带宽50~100兆赫,适用于三级群光通信系统(可传输480路电话),传输距离数公里。InGaAsP-InP LED可用于更长距离(大于10公里)的传输系统。此外,LED还用于信息处理、图像传输、测距和传感等方面。