MXGH1200-PECVD型等离子增强化学气相沉积系统
产品简介:此款设备配有Plasma实现等离子增强,滑轨式设计在操作时可将实验需要的恒定高温直接推到样品处,使样品能得到一个快速的升温速度,同样也可将高温的管式炉直接推离样品处,使样品直接暴露在室温环境下,得到快速的降温速率。并可选配气氛微调装置,可准确的控制反应腔体内部的气体压力,带刻度的调节阀对于做低压CVD非常简单实用,工艺重复性好,对于石墨烯生长工艺非常合适,也同样适用于要求快速升降温的CVD实验。
主要功能和特点:
1、利用辉光放电产生等离子体电子激活气相;
2、提高了气相反应的沉积速率、成膜质量;
3、可通过调整射频电源频率来控制沉积速率;
4、能广泛用于:石墨烯、SiOx、SiNx、CNx、TiCxNy等薄膜的生长。
滑轨管式炉技术参数
石英管尺寸 L1400mm Φ(60、80、100)
加热元件 掺钼铁铬铝合金电阻丝
测温元件 K型热电偶
加热区长度 400mm
恒温区长度 200mm
工作温度 ≤1100℃
控温模式 模糊PID控制和自整定调节,智能化30段可编程控制,具有超温和断偶报警功能
控温精度 ±1℃
升温速率 ≤20℃/min
电功率 AC220V/50HZ/3KW
质量供气系统技术参数
外形尺寸 600x600x600mm
标准量程 50sccm(CH4)、200sccm(H2)、500sccm(Ar、N2);
压力表测量范围 -0.1Mpa~0.15Mpa
极限压力 3MPa
针阀 316不锈钢
截止阀 Φ6mm 316不锈钢针阀
电功率 AC220V/50HZ/20W
响应时间 气特性:1~4 Sec,电特性:10 Sec
准确度 ±1.5%
线性 ±0.5~1.5%
重复精度 ±0.2%
接口 Φ6,1/4''
真空系统技术参数
外型尺寸 600×600×600mm
工作电电压 220V±10% 50~60HZ
功率 400W
抽气速率 4L\s
极限真空 4X10-2Pa
实验真空度 1.0X10-1Pa
容油量 1.1L
进气口口径 KF25
排气口口径 KF25
转速 1450rpm
射频电源
信号频率 13.56 MHz±0.005%
功率输出范围 3W-300W 5W-500W可选
大反射功率 200W
射频输出接口 50 Ω, N-type, female
功率稳定度 ±0.1%
谐波分量 ≤-50dbc
供电电压 单相交流(187V-253V) 频率50/60HZ
整机效率 >=70%
功率因素 >=90%
冷却方式 强制风冷