氮化硅哪家好

氮化硅陶瓷管件<br>

氮化硅有晶体和非晶体之分 , 所说的非晶氮化硅就是无 定形氮化硅 , 而晶体氮化硅主要有早期的四方氮化硅 (晶格 常数为 a=9.245魡 , c=8.48魡 )、 常见的六方晶系氮化硅 (有两 种晶形 , 即针状结晶体 α-Si 3N 4和颗粒状结晶体 β-Si 3N 4)、 立 方氮化硅<br>

氮化硅极耐高温，强度一直可以维持到1200℃的高温而不下降，受热后不会熔成融体，一直到1900℃才会分解，并有惊人的耐化学腐蚀性能，能耐几乎所有的无机酸和30%以下的烧碱溶液，也能耐很多有机酸的腐蚀；同时又是一种电绝缘材料
1285摄式度时与二氮化二钙反应生成二氮硅化钙，600度时使过渡金属还原，放出氮氧化物，抗弯强度为147MPa<br>


















































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相对分子质量140.28，灰色、白色或灰白色<br>

氮化硅陶瓷表现出原始短裂纹的扩展特征,即一旦达到临界温差TC,强度就突然下降,随后进入到裂纹准静态扩展阶段虽然在未进行热震试验时,添加40%-Si3N4粉末的试样B的抗弯强度高;但是完全由-Si3N4粉末制备试样D的抗热震性能好,其临界热震温差TC为600这表明在纳米尺度范围内,晶粒较粗的氮化硅陶瓷具有较好的抗热震性<br>

属高温难溶化合物，无熔点，抗高温蠕变能力强，不含粘结剂的反应烧结氮化硅负荷软化点在1800℃以上<br>

氮化硅陶瓷可做高温绝缘材料，其性能指标的优劣主要取决于合成方式与纯度，材料内未被氮化的游离硅，在制备中带入的碱金属、碱土金属、铁、钛、镍等杂志，均可恶化氮化硅陶瓷的电性能，一般氮化硅陶瓷在室温下、在干燥介质中的比电阻为1015～1016欧姆，介电常数是9.4～9.5，在高温下，氮化硅陶瓷仍保持较高的比电阻值，随着工艺条件的提高，氮化硅可以进入常用电介质行列<br>

其中梁弯曲法相对简单，不需要特殊的试样制备，且测得的弹性模量可以表征涂层的总体性能，而不受涂层相成分的影响 与单面涂层弯曲试样相比，96:;<==［*］ 认为双面涂层试样的测量精度更高<br>
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