氮化硅陶瓷构件

氮化硅陶瓷坩埚<br>

8—3.2×10－6/K（1000度），与SiC、莫 来石相近 3，抗热震性能好，抗热振性能在陶瓷中是 好的300—800度4，高温蠕变小，特别是加入少量SiC后5，具有的电绝缘性能6，硬度大，仅次愈SiC；耐磨性好且自润滑性 好，μ＝0.1，与加油的金属表面相似，极优 的耐磨材料 7，化学稳定性好，抗氧化性好，表面易生成致 密的SiO2保护层，高使用温度1670度，实 际使用已经可达到1400度 8，强度大 高强度可达1.7GPa，KIC＝11MPam1/2 9，化学稳定性好，除氢氟酸外，能耐各种酸、 王水和碱液的腐蚀，也能抗熔融金属的侵蚀<br>

碳化硅：维氏硬度22.2±2.2GPa
于1870℃左右直接分解，可耐氧化到1400℃，实际使用达1200℃(超过1200℃力学强度会下降)<br>


















































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氮化硅有杂质或过量硅时呈灰色<br>

多孔碳化硅的热膨胀系数小于氧化铝的热膨胀 系数，碳化硅的抗热震性能优于氧化铝水冷-强度法测定多孔陶瓷的实验表明：随着热震温差的增加， 氧化铝多孔陶瓷的强度衰减程度比碳化硅大得多，当热震温差为200℃时，氧化铝多孔陶瓷的残余强度急剧衰减，并低于碳化硅多孔陶瓷在热震温差为700℃时的强度；此外，陶瓷材料的弹性模量随着热震温差的增加而降低通过碳化硅多孔陶瓷的强度-热应力校核， 碳化硅多孔陶瓷热震临界温差范围为300～400℃，因此，在实际应用过程中，为了材料的正常使用，碳化硅多孔材料的热震温差不宜超过300℃<br>

它极耐高温，强度一直可以维持到1200℃的高温而不下降，受热后不会熔成融体，一直到1900℃才会分解<br>

碳化硅材料具有良好的非线性导电特性，碳化硅的导电机理目前还没有一个统一的看法，但是可以肯定的一点是：碳化硅的伏安特性的非线性是由颗粒间的接触现象所引起的，其电阻可以随电场的增加而自动降低，从而达到自动调节场强的目的，所以碳化硅是一种理想的防电晕材料<br>

杨氏弹性模量是选定机械零件材料的依据之一是工程技术设计中常用的参数杨氏模量的测定对研究金属材料、光纤材料、半导体、纳米材料、聚合物、陶瓷、橡胶等各种材料的力学性质有着重要意义，还可用于机械零部件设计、生物力学、地质等领域<br>
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