氮化铝陶瓷氮化铝打孔划线氮化铝激光加工厂家

氮化铝陶瓷基片(AlN)

AlN陶瓷基片是新一代陶瓷基片，具有很高的热导率（理论值为319W/m.K，商品化的AlN基片热导率大于140W/m.k）、较低的介电常数（8.8）和介电损耗（～4×104）、以及和硅相配比的热膨胀系数（4.4×10－4/℃）等优点，化学组成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，单晶无色透明，常压下的升华分解温度为2450℃。

氮化铝陶瓷基片，热导率高，电性能好、热膨胀系数与Si片接近,强度高，耐高温，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小，性，是取代BeO陶瓷的理想材料，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。

主要应用于：高密度混合电路、微波功率器件、电力电子器件、光电子部件、半导体致冷等产品中做基片材料和封装材料，广泛应用于通讯器件、 高亮度LED、电力电子器件等行业。

产品特点

高导热性

热膨胀系数跟Si接近

优良的绝缘性能

较低介电常数和介质损耗

AlN(氮化铝)陶瓷基片主要性能指标

性能内容

性能指标

体积密度 (g/cm3)

3.335

抗热震性

无裂纹、炸裂

热导率 (30℃, W/m.k)

≥170

膨胀系数 (/℃, 5℃/min, 20-300℃)

2.805×10-6

抗折强度 (MPa)

382.7

体积电阻率(Ω.cm)

1.4×1014

介电常数(1MHz)

8.56

化学稳定性 (mg/cm2)

0.97

击穿强度 (KV/mm)

18.45

表面粗糙度(μm)

0.3~0.5

翘曲度(length‰)

≤2‰

外观/颜色

致密、细晶/ 暗灰色