重庆善仁SiC碳化硅烧结银膏

  • 图片0
  • 图片1
  • 图片2
  • 图片3
  • 图片4
  • 图片5
1/6
新浪微博
QQ空间
豆瓣网
百度新首页
取消

另外,善仁新材研究院发现:较大面积的互连会导致较差的互连质量,其原因是增加的互连面积阻止了有机成分被燃尽,会导致更高的的孔隙率,针对这种现象,善仁新材提出了两个解决方案:

纳米烧结银互连层的孔隙研究
善仁公司统计了在不同时间和温度下孔隙率情况。发现孔隙率的大小和芯片的大小有很大的关系,采用无压纳米烧结银AS9375封装5*5mm的小芯片,几乎无孔隙。对于大于5*5mm的芯片,空隙率会在3-8%之间。孔隙主要由小孔和中孔组成,在250℃烧结时,空隙会很少。

善仁新材研究院通过各种测试得知:纳米烧结银的互连层的空隙大小和空隙率高低和烧结温度,升温速率,保温时间等有密切的关系。

善仁(浙江)新材料科技有限公司为你提供的“重庆善仁SiC碳化硅烧结银膏”详细介绍
在线留言

*详情

*联系

*手机

推荐信息

胶粘剂>导电银胶>重庆善仁Si
信息由发布人自行提供,其真实性、合法性由发布人负责;交易汇款需谨慎,请注意调查核实。
触屏版 电脑版
@2009-2025 京ICP证100626