善仁新材的纳米烧结银互连层的制作工艺 其工艺主要包括: ① 在覆铜(Cu)基板上涂覆或者丝网印刷纳米烧结银,将芯片放置在纳米银膏上;另外,善仁新材研究院发现:较大面积的互连会导致较差的互连质量,其原因是增加的互连面积阻止了有机成分被燃尽,会导致更高的的孔隙率,针对这种现象,善仁新材提出了两个解决方案:纳米烧结银互连层的蠕变性能 善仁研究院通过实验发现:蠕变应力指数以及激活能分别与环境温度和加载应力的关系很大,建议客户根据自己芯片的大小和界面的镀层材料选择适合的烧结温度和是否加压。
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SiC碳化硅烧结银膏宽禁带半导体烧结银SiC烧结银碳化硅烧结银
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