基于以上两款焊料的不足,烧结银产品应运而生,烧结银克服了以上两款产品的各种不足和问题,具有导热系数高,剪切强度大,生产,无铅化、免清洗等特点,是第三代半导体封装的理想焊接材料。
通过烧结银的纳米颗粒物可以增强这种材料的连接能力,以及它的张力,所以银是非常好的材料,只有银的纳米材料才能呈现这样的结构,所以银在我们制造烧结连接器件的时候发挥了非常重要的作用。
烧结银的烧结连接件,现在它是一个非常简单的过程。善仁新材可以在低温情况下,施加压力的情况下,接触空气的情况下,制造银的烧结连接件,而且它具有非常高的可靠性和性能,而且成本也可以做到非常低。
有压烧结银AS9385工艺流程: 清洁粘结界面;界面表面能太低,建议增加界面表面能;粘结尺寸过大时,建议一个界面开导气槽
一个界面涂布烧结银时,涂布的要均匀;另外一个界面放烧结银上时,建议加一点压力到上界面压一下; 预烘阶段:150度20-30分钟,界面是铜的基底建议氮气保护(金或者银除外)
善仁新材研究院在烧结银块体的性能研究发现:随烧结温度升高和压力加大,烧结体密度和硬度逐渐增大,尤其在分散剂的分解温度和原子扩散重排温度区间,增大的趋势更加明显;