传统钎焊料熔点低、导热性差,难以满足高功率器件封装及其高温应用要求。此外随着第三代半导体器件(如碳化硅和氮化镓等)的快速发展,对封装的性能方面提出了更为严苛的要求。AS9385有压银烧结技术是一种新型的高可靠性连接技术,在功率模块封装中的应用受到越来越多的关注。
有压银烧结AS9385是一种新型的高可靠芯片粘接和键合技术,可确保无空隙和高强度键合,并具有的导热性和导电性。 该技术可以将器件的结温 (Tj) 低降至150℃。
相对于焊料合金,银烧结技术可以更有效的提高大功率硅基IGBT模块的工作环境温度及使用寿命。目前,AS9385银烧结技术已受到高温功率电子领域的广泛关注,它特别适合作为高温SiC器件等宽禁带半导体功率模块的芯片互连界面材料。