全烧结纳米烧结银广东烧结银碳化硅烧结银

随着新一代IGBT芯片及功率密度的进一步提高，对功率电子模块及其封装工艺要求也越来越高，特别是芯片与基板的互连技术很大程度上决定了功率模块的寿命和可靠性。

传统钎焊料熔点低、导热性差，难以满足高功率器件封装及其高温应用要求。此外随着第三代半导体器件（如碳化硅和氮化镓等）的快速发展，对封装的性能方面提出了更为严苛的要求。AS9385有压银烧结技术是一种新型的高可靠性连接技术，在功率模块封装中的应用受到越来越多的关注。

银烧结是一种经过验证的芯片粘接技术，可确保无空隙和高强度键合，并具有高导热性和导电性。 这种有压烧结银AS9385技术良品率高，十分可靠。

有压银烧结AS9385是一种新型的高可靠芯片粘接和键合技术，可确保无空隙和高强度键合，并具有的导热性和导电性。 该技术可以将器件的结温 (Tj) 低降至150℃。

SHAREX的AS9385银烧结技术也被成为低温连接技术（Low temperature joining technique,LTJT），作为一种新型无铅化芯片互连技术，AS9385烧结银可在低温（＜250℃）条件下获得耐高温（＞700℃）和高导热率（~240 W/m·K）的烧结银芯片连接界面，具有以下几方面优势：

③AS9385所用纳米银材料具有和传统软钎焊料相近的烧结温度；④烧结材料不含铅，属于环境友好型材料，并且避免清洗的过程，节省了时间，降低了成本。