烧结银的烧结工艺流程就显得尤为重要了。善仁新材研究院根据客户的使用情况,总结出烧结银的工艺流程供大家参考:
二 AS9385加压烧结银工艺流程:
1 清洁粘结界面
2 界面表面能太低,建议增加界面表面能
3 粘结尺寸过大时,建议一个界面开导气槽
4 一个界面涂布烧结银时,涂布的要均匀
5 另外一个界面放烧结银上时,建议加一点压力到上界面压一下
6 预烘阶段:150度20-30分钟,界面是铜的基底建议氮气保护(金或者银除外)
7 预压阶段:150度加压0.5-1MPa,时间为:1-3秒;
8 本压阶段:220-280度加压10-30MPa,时间2-6分钟;
9 烧结结束时,建议在烘箱中逐步降温到室温再把器件拿出。
6 粘结器件不同:烧结银一般粘结大功率器件,比如第三代半导体,大功率LED,射频器件等;导电银胶粘结普通的代集成电路封装,对导电导热效果要求不高的界面等。