传统钎焊料熔点低、导热性差,难以满足高功率器件封装及其高温应用要求。此外随着第三代半导体器件(如碳化硅和氮化镓等)的快速发展,对封装的性能方面提出了更为严苛的要求。AS9385有压银烧结技术是一种新型的高可靠性连接技术,在功率模块封装中的应用受到越来越多的关注。
烧结银技术的优势与特点
1.什么是烧结银技术
20世纪80年代末期,Scheuermann等研究了一种低温烧结技术,即通过银烧结银颗粒AS9385实现功率半导体器件与基板的互连方法。
SHAREX善仁新材是烧结银产品和服务的市场。我们针对许多客户的不同应用提供了各种烧结银解决方案,可以提供无压烧结银,有压烧结银,银玻璃烧结银,纳米烧结银等,配合了100多家烧结银客户,累积了丰富的烧结银知识和应用工艺经验。
有压银烧结AS9385是一种新型的高可靠芯片粘接和键合技术,可确保无空隙和高强度键合,并具有的导热性和导电性。 该技术可以将器件的结温 (Tj) 低降至150℃。
①烧结连接层成分为银,具有的导电和导热性能;②由于银的熔点高达(961℃),将不会产生熔点小于300℃的软钎焊连接层中出现的典型疲劳效应,具有的可靠性;
2.银烧结技术原理
AS9385银烧结技术是一种对微米级及以下的银颗粒在250℃以下进行烧结,通过原子间的扩散从而实现良好连接的技术。所用的烧结材料的基本成分是银颗粒,根据状态不同,烧结材料一般为烧结银膏工艺为:AS9385烧结银膏印刷印刷——预热烘烤——芯片贴片——加压烧结;