无锡定制SiC碳化硅烧结银膏

由于现有封装技术的限制，特别是芯片与基板的互连技术，例如银浆、聚合物材料，软钎焊等互连技术由于焊料合金的低熔点、环氧树脂的低温分解等原因，使其不能在高温环境下可靠工作，导致限制电力电子系统性能和可靠性的瓶颈从半导体芯片转移到了封装技术上来。

善仁新材的纳米烧结银形成的纳米银互连层具有优良的电、热性能，可承受710℃的高工作温度，而且其厚度相比传统的钎焊接头要薄50～80%，是实现SiC功率器件封装的理想互连材料。

善仁新材另外发现在烧结工艺中引入超声振动能够提高烧结银尺寸和密度，并发现其在处理烧结不充分的边缘地方，能减小过度区，提高纳米烧结银互连层的连接强度；通过引用脉冲电流影响烧结工艺，能够在3分钟的快速烧结中，得到剪切强度为30-35MPa的工艺方法。