5导电性不同:无压烧结银的体积电阻一般会在10-6Ω.CM级别,AS9375可以达到4*10-610-6Ω.CM,只比纯银的导电性低60%;而普通导电银胶的导电性一般会在10-4Ω.CM级别。6 粘结器件不同:烧结银一般粘结大功率器件,比如第三代半导体,大功率LED,射频器件等;导电银胶粘结普通的代集成电路封装,对导电导热效果要求不高的界面等。对于第三代半导体封装,射频器件,功率器件,大功率芯片封装来说,善仁新材的无压烧结银AS9375表现出了传统解决方案所没有的优势。
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