有压烧结银是一种常见的半导体封装材料,压烧结银的工艺非常复杂,需要考虑到不同的因素,如热量、熔融银的温度、模具的造型等。这种工艺需要熟练的技艺,可以制作出精美的饰品。
由于传统锡膏和金锡焊片存在着天然的不足:锡膏不环保,导热系数差,耐回流效果差等问题;金锡焊片存在着导热系数差,价格昂贵等问题。
基于以上两款焊料的不足,烧结银产品应运而生,烧结银克服了以上两款产品的各种不足和问题,具有导热系数高,剪切强度大,生产,无铅化、免清洗等特点,是第三代半导体封装的理想焊接材料。
有压烧结银AS9385工艺流程: 清洁粘结界面;界面表面能太低,建议增加界面表面能;粘结尺寸过大时,建议一个界面开导气槽
一个界面涂布烧结银时,涂布的要均匀;另外一个界面放烧结银上时,建议加一点压力到上界面压一下; 预烘阶段:150度20-30分钟,界面是铜的基底建议氮气保护(金或者银除外)
与此同时,烧结温度越高,烧结银块体的热导率也跟着增大,280℃烧结银的热导率已达到266W/(m·K)。