三代半加压烧结银替代日本烧结银碳化硅烧结银
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- ￥89000.00
- 2024-10-31 06:37:18
- 金属类
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- 刘志 13611616628
- 善仁（浙江）新材料科技有限公司
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信息介绍
详细参数
目前尽可能从机械方面集成电力电子系统所有的功能，碳化硅、氮化镓（射频／非射频）模块封装也向着更高的集成度方向发展。
相比焊接模块，加压烧结银的银烧结技术对模组结构、使用寿命、散热产生了重要影响，采用银烧结技术可使模块使用寿命提高5-10倍，
烧结层厚度较焊接层厚度薄60-70%，热传导率提升5倍，国内外诸多厂商把银烧结技术作为第三代半导体封装的核心技术，银烧结技术成为芯片与基板之间连接的选择.
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