车规芯片烧结银碳化硅加压烧结银中国加压烧结银膏

由于材料的热膨胀系数不同、高温波动和运行过程中的过度负载循环将导致焊料层疲劳，影响宽禁带半导体模块的可靠性。

目前，银烧结技术成为国内外第三代半导体封装技术中应用为广泛的技术，美国、日本等碳化硅模块生产企业均采用此技术。

与传统的高温无铅钎料相比，AS9385有压银烧结技术烧结连接层成分为银，具有的导电和导热性能，由于银的熔点高达961℃，将不会产生熔点小于300℃的软钎焊连层中出现的典型疲劳效应，具有的可靠性，且其烧结温度和传统软钎焊料温度相当。

烧结层厚度较焊接层厚度薄60-70%，热传导率提升5倍，国内外诸多厂商把银烧结技术作为第三代半导体封装的核心技术，银烧结技术成为芯片与基板之间连接的选择.

芯片连接采用银烧结合金而不是焊接，烧结连接熔点更高，这意味着在给定温度摆幅下连接的老化率将低得多，功率模块的热循环能力可增加5倍。

连接温度和辅助压力均有明显下降，扩大了工艺的使用范围。在银烧结技术中，为了防止氧化和提高氧化层的可靠性，