彭水低温固化可焊接银浆,低温银浆

公司为5G手机天线、5G滤波器、指纹模组、摄像头模组、微电机、VCM模组、TP触摸屏、RFID射频识别电子标签、汽车电子、电子纸、LED封装、PCB板、FPC板、EL冷光片、CMOS模组、LCM模组、智能卡封装、LCD液晶显示、OLED电致发光显示、薄膜开关、传感器、光电器件、通讯电子、微波通讯、无源器件、厚膜电路、压电晶体、集成电路IC、异质结太阳能等领域提供新材料解决方案。

善仁新材推出的低温烧结型纳米银膏主要用于第三代半导体材料---SiC及GaN等大功率器件的封装。也可以用于激光器件，大功率LED等领域。

善仁新材开发的低温烧结纳米银膏可以改善现有功率器件的性能以及增加芯片寿命4倍以上。与传统连接材料相比具有：耐服役温度高，高机械强度，高导热，高导电，无残留，无孔洞，免清洗，无铅，环保的优势。

善仁低温烧结纳米银膏主要用于刚刚兴起的第三代半导体的封装，应用领域主要为电动汽车、轨道交通、太阳能光伏发电、风力发电、智能电网、智能家电以及航空航天等领域。

善仁新材研发人员对混合纳米银的成分进行了分析，发现混合银的分散剂主要来源于小尺寸纳米银配方，这些分散剂在150℃开始分解，但是在400℃仍没有分解完全;对混合纳米银浆混合前后、烧结前后组织形貌的观察发现混合银浆中小尺寸纳米银颗粒包围大尺寸纳米银颗粒而分布，随着加热温度升高，颗粒逐渐形成烧结晶并粗化长大，当加热到230℃时，由于发生原子扩散重排，烧结组织从松枝状结构向3D网络状结构转变，组织明显致密化。

善仁新材博士团队对烧结银块体的性能研究发现：随烧结温度升高，烧结体密度和硬度逐渐增大，尤其在分散剂的分解温度和原子扩散重排温度区间，增大的趋势更加明显;与此同时，烧结温度越高，烧结银块体的热导率也跟着增大，280℃烧结银的热导率已达到216W/(m·K);热膨胀行为分析也指出150℃、200℃、250℃三个温度烧结的银浆在加热到100℃以上时热膨胀系数都接近于银浆块体的热膨胀系数值，且230℃烧结的银块体因烧结过程引起的收缩对热膨胀行为影响较小，所以呈现出稳定的状态。