美国烧结银替代大芯片烧结银

AS9378主要应用领域：第三代功率半导体器件、大功率发光二极管、大功率芯片、光通讯 TO 器件、大功率模块和其他需要高导热、导电和高强度粘接的场合。

大面积无压烧结银的主要成分：纳米银粉、有机载体等，可以栽无压的条件下焊接10mm*10mm的大芯片，也可以焊接更大面积的芯片。

大面积烧结银的导热系数为： 200W/m·K， （激光闪射法）；剪切强度为60 (MPa) 5*5mm （金-金，25℃）。

大面积烧结银的烘烤曲线
1）从室温升温至 80℃，升温速率 3℃/min。在 80℃保温 40 分钟；
2）从 80℃升温至 130℃，升温速率 3℃/min。在 130℃保温 40 分钟；
3）从 130℃升温至 200℃，升温速率 5℃/min。在 200℃保温 120 分钟；
4）降温时间 60

大面积烧结银的使用要求
1. 使用前回温至室温；
2. 使用前在行星搅拌机中进行 2500rpm/30s 搅拌处理；
3. 框架表面镀金、银，芯片背面镀金、银

使用者应先确定产品是否符合所需之用途，需承担使用这些产品有关之风险和责任。卖方不承担使用者或其他有关人士承担因使用（包括不当使用）卖方的产品而引起的伤害或任何直接、间接、意外或后续性损失的责任。