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Si3N4的化学稳定性很好，除不耐氢氟酸和浓NaOH侵蚀外，能耐所有的无机酸和某些碱溶液、熔融碱和盐的腐蚀氮化硅在正常铸造温度下对很多金属(例如铝、铅、锡、锌、黄铜、镍等)、所有轻合金熔体，特别是非铁金属熔体是稳定的，不受浸润或腐蚀对于铸铁或碳钢只要被完全浸没在熔融金属中，抗腐蚀性能也较好氮化硅具有优良的抗氧化性，抗氧化温度可高达1400℃，在1400℃以下的干燥氧化气氛中保持稳定，使用温度一般可高达1300℃，而在中性或还原气氛中甚至可成功的应用到1800℃在200℃的潮湿空气或800℃干燥空气中，氮化硅与氧反应形成Si02的表面保护膜，阻碍si3N4的继续氧化 <br>

氮化硅（Si3N4）存在有3种结晶结构，分别是α、β和γ三相，α和β两相是Si3N4常出现的型式，且可以在常压下制备，γ相只有在高压及高温下，才能合成得到，它的硬度可达到35GPa
氮化硅在 600℃以上能使过渡金属（见过渡元素）氧化物、氧化铅、氧化锌和二氧化锡等还原,并放出氧化氮和二氧化氮<br>

在氧化气氛中可使用到1400℃，在中性或还原气氛中一直可使用到1850℃<br>
氮化硅陶瓷表面经抛光后，有金属光泽<br>

由于相变的缘故,在升温和降温过程中发生相变伴随的大的体积变化很容易导致材料的破裂这也是实际使用中氧化锆陶瓷部件不能由纯单斜相制成的原因但是,利用这些特点,通过对相组成及其变化调整和控制,可以优化材料的热膨胀行为,提高材料的抗热震性能本文旨在通过对氧化锆热膨胀和相变特征的分析,结合陶瓷材料的热震理论,探讨改善氧化锆陶瓷材料抗热震性能的途径<br>

它极耐高温，强度一直可以维持到1200℃的高温而不下降，受热后不会熔成融体，一直到1900℃才会分解<br>
比体积电阻，20℃时为1.4×105 ·m,500℃时为4×108 ·m氮化硅陶瓷可做高温绝缘材料，其性能指标的优劣主要取决于合成方式与纯度，材料内未被氮化的游离硅，在制备中带入的碱金属、碱土金属、铁、钛、镍等杂志，均可恶化氮化硅陶瓷的电性能，一般氮化硅陶瓷在室温下、在干燥介质中的比电阻为1015～1016欧姆，介电常数是9.4～9.5，在高温下，氮化硅陶瓷仍保持较高的比电阻值，随着工艺条件的提高，氮化硅可以进入常用电介质行列<br>

对于弹性模量相近的材料，硬度越低，在接触或挤压过程中局部能量耗散就越大，应力波传播距离小，不容易引起整体破坏，或者说材料具有脆性低，断裂阻力高的特点<br>
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