新乡市政太阳能路灯厂家

新乡市政太阳能路灯价格

新乡太阳能路灯工作原理中的步，就是光能转电能来储存。所以我们选择新乡太阳能路灯的时候，我们对于新乡太阳能光伏发电组件的选择来说就要好好筛选了。江苏斯美尔光电生产的新乡太阳能组件全部都是A级板，使用寿命20年，综合的光伏转换率为18%左右，所以目前来讲现在转换的效率是非常高的了。选择新乡太阳能路灯生产厂家，请选择江苏斯美尔光电，两个字“放心”。

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a-Si太阳能电池效率相对较低的原因

非晶硅太阳能电池属于半导体结型太阳能电池.可以依据结型太阳能电池的模型对其理 想的光伏性能做出估算。有1.7 eV带隙的非晶硅太阳能电池的理论效率在25%左右。实际 上，阶段制作的小面积电池初始效率约为理论效率的一半，其他品种的太阳能电池实际达 到的光伏性能与理论值相比，差距都小于非晶硅的差距。

a-Si太m能电池效率低的主要原因如下。

(1) a-Si材料的带隙较宽，实际可利用的主要光谱域是0. 35?0. 7.fxm波长，相对较窄。

a-Si太阳能电池开路电压与预期值相差较大，其原因是①迁移边存在高密度的尾态， 掺杂杂质离化形成的电子或空穴仅有一定比例的部分成为0由载流子，电导激活能即费米能 级与带边的差不可能很小；②材料多缺陷，载流子扩散长度很短，电荷收集主要靠内建电场驱 动下的漂移运动，靠扩散收集的分量可以忽略.这与晶体硅电池正好相反，为了维持足够强的 内建电场，PIN结的能带弯曲量保持较大才能有足够的电场维持低限度的电荷收 集，能带弯曲量与电池输出电压对应的电子能童之和为P、N两种材料费米能级之差。既然剩 余能带弯曲量较大，输出电压必然较低。而晶体电池电荷收集主要靠载流子扩散，剩余能带弯 曲量可以较小，加之P、N两种材料的激活能较低.所以幵路电压与其带隙宽度相对接近。

a-Si材料隙态密度较高，载流子复合几率较大，二极管理想因子通常大于2,与《 = 1 的理想情况相差较大。

a-Si太阳能电池的D区和N区的电阻率较高.TC'O P-a-Si(或TC'0/N-a-Si)接触电 阻较高，甚至存在界面壁垒，这就带来附加的能量损失。

以上这些问题由新的措施来解决，这就构成了非晶硅太阳能电池下一阶段发展的主 要任务。

7.3非晶硅薄膜太m能电池技术的制造工艺

3. 1 基本工艺

与用金属掩膜或光刻法比较.用激光刻蚀方法制造的集成型非晶硅薄膜太阳能电池的工 艺流程简单，可获得大面积的电池组件，而且增大了太阳能电池的有效面积，适合自动化生产。 此技术的应用使集成型非晶硅薄膜太阳能电池的大规模生产向前迈了 一大步。下面以内联式 双结叠层非晶硅薄膜太阳能电池为例介绍生产非晶硅薄膜太阳能电池的主要设备和工艺流 程。其工艺流程如图7-3所示。

7 -3非晶硅渖膜太阳能电池生产的主要设备和丁_艺流程 1清洗T(’(）玻璃；2-激光刻别l(Sn():.);3 _沉积非晶硅电池（PIM 激光刻划2(a-Si);

5鹏射背电极铝膜；fi激光刻划WAD:7--封装（汇流、环压、测试>

Sn02透明导电玻璃（或AZO透明导电玻璃）

规格尺寸：305 mmX915 mmX3 mm、635 mm X 1245 mmX 3 等。

要求：方块电阻：6?8n/口、8?ion/□、:10?12n/[D、12?140/口、14?16n/□等；透过 率>80%;膜牢固、平整，玻璃4个角、8个棱磨光（目的是减少玻璃应力及防止操作人员受伤）

红激光刻划8〇02膜

根据生产线预定的线距，用红激光（波长l〇64nm>将SnO:导电膜刻划成相互立的部分. 0的是将整板分为若干块.作为若干个单体电池的电极。

激光刻划时Sn():导电膜朝上（也可朝下）。

线距：单结电池一般是10mm或5mm，双结电池一般20mm。

刻线要求：绝缘电阻>2MD,线宽（光斑直径）<10(Vm,线速>500mm/s。

清洗

将刻划好的Sn():导电玻璃进行动清洗.确保Sn(导电膜的洁净。

装基片

将清洗洁净的Sn():透明导电玻璃装人“沉积夹具”。

基片数量：对于美国C'hronar公3]技术，每沉积夹:具装4片305 mmX 915 mmX 3 mm 的基片，每批次（炉）产出6 X -丨=24 (片）。

对于美国EPV技术，每个沉积夹具装48片635 mmX 1245 mmX3 mm的基片，即每批次 (炉）产出1 X48 = 48(片）。

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基片预热

将Sn()」导电玻璃装入夹具后推人烘炉进行预热。

a-Si沉积

基本预热后将其转移入PECVD沉枳炉，进行PIN(或PIN/PIN)沉积。

根据生产工艺要求控制：沉积炉真空度，沉积温度.各种工作气体流量，沉积压力，沉 积时间，射频电源放电功率等T.艺参数，确保非晶硅薄膜沉枳质量。

沉积P、I、N层的丁.作气体P层：硅烷（S i H,)、硼烷（B2 H,;)、甲烷（C H,)、高纯氩（A r)、 高纯氢（4):1层：硅烷（SiH,)、高纯氢（H2);N层：硅烷（S2H,)、磷烷（PH3)、高纯氩（Ar)、高 纯氢（H:)。

各种T.作气体配比有两种方法，种：P型混合气体，N型混合气体由国内特 种气体厂家配制提供；第二种：P E C V D系统在线根据工艺要求调节各种气体流量配制。

冷却

a-Si完成沉积后，将基片装载夹具取出，放人冷却室慢速降温。

绿激光刻划a-Si膜

根据生产预定的线宽及与Sn(VM割线的线间距，用绿激光（波长532 nm)将a-Si膜刻划 穿，0的是比背电极（金属铝）通过与前电极（SnC)2导电膜）相连接.实现整板由若干个单体电 池内部串联而成。

激光刻划时a- Si膜朝下刻划要求：

线宽（光斑直径）<100 |um与Sn()2刻划线的线距<100 ;j(m。

直线度线速>500 mm/s。

镀铝

镀铝的0的是形成电池的背电极，它既是各单体电池的负极.义是各子电池串联的导电通 道，它还能反射透过a-Si膜层的部分光线.以增加太阳能电池对光的吸收t

镀铝有两种方法：

蒸发镀铝。工艺简单.设备投人小.运行成本低.但膜层均匀性差.牢固度不好.掩膜 效果难，操作多耗人工，仅适用于小面积镀铝。

磁控溅射镀铝。膜层均匀性好，牢固.质量有.适应小面积镀铝.更适应大面积镀 铝，但设备投资大，运行成本稍高。

每节电池铝膜分隔有两种方法：

掩膜法。仅适用于小面积蒸发镀铝。

绿激光刻划法。既适用于磁控溅射镀铝.也适用于蒸发镀铝：

绿激光刻铝

掩膜蒸发镀铝，没有该丁.序。对于蒸发镀铝.以及磁控镀铝要根据预定的线宽以及与a-Si 切割线的线间距，用绿激光（波长532nm)将铝膜刻冈成相互立的部分.斗的是将整个铝膜 分成若干个单体电池的背电极.进而实现整板若干个电池的内部串联

激光刻划时铝膜朝下=

刻划要求：

线宽（光斑直径）<1〇〇 与a-Si刻划线的线距UOO

直线度线速>500 mm S。

丨-V测试

通过上述各道丁.序，非晶硅电池芯板已形成，需进行I - V测试?以茯得电池板的各个性能 参数，通过对各参数的分析，来判断某道丁.序是否出现问题.便干提高电池的质量。

热老化

将经I-V测试合格的电池芯板置于热老化炉内.进行lluV 12 h热老化.热老化的目的 是使铝膜与非晶硅层结合得更加紧密.减小串联电阻.消除由于1：作温度高所引起的电性能热 衰减现象。

经过上述T艺制成的集成型双结叠层非晶硅薄膜i：阳能电池的内部结构如图7 -4所示。

正极 负极

玻璃衬底 SnO:导电膜 丨，N, P. I： N: A脱保护层

m 7 4集成型内联式双结非晶硅电池内部结构小gra

7.3.2非晶硅太阳能电池技术完善与提高

由于发展势头遭到挫折，80年代未90年代初，非晶硅太阳能电池的发展经历了一个调 整、完善和提高的时期。人们一方面加强了探索和研究，一方面准备在更高技术水平上做更大 规模的产业化开发.中心任务是提高电池的稳定化效率。为此探索了许多新器件结构、新材 料、新工艺和新技术.其核心就是结技术和叠层电池技术。在成功探索的基础上，90年代 中期出现了更大规模产业化的高潮，先后建立了多条数兆瓦至十兆瓦高水平电池组件生产线， 组件面积为平方米量级.生产流程实现全自动。采用新的封装技术.产品组件寿命在10年以 上。组件生产以结技术和叠层电池技术为基础.产品组件效率达到6%?8%;中试组件 (面积900cnr左右）效率达9°/。?11 %;小面积电池率达14. 6%。

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