防护箱RS204

防护箱 RS204

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ATLAS COPCO 1900.0590.70
MTA Solder feeder MAXON 2332.908-62.256-200
BECKHOFF CX1000-0012
IAI Corporation SA CONTROLLER EU C1 SA-C1-EU 
MTA 2070 GALS 5-0005-03-000 
AMK AZ-EA8 AZEA8 AZ-EA8-2.00 
ECKELMANN EC-AR 01
BOSCH E24- 1070075924-103
BOSCH CL200 E/A24-0. 1070079452-104
BOSCH CL200 A24-0. 1070078917-103
BOSCH CL200 ZE 200 A ZE200A 1070075171-304
WALTHER PILOT 528399 II 2 G C T5 2414 II2GCT5
BERGER LAHR VRDM 3910/50
STROMAG CVT-P 150/090.3-B CVTP1500903B
SIEMENS 04849 96-12 9612
B&R RELAY EXPANSION BRADREL1-0
FASE WELDE332 WELD332R
PMA DATA MONITOR KS 3010 ( KS3010 KS-3010 ) 94 9407-301-10001
YOKOGAWA  310A EJA310A DMS2A-90DA/D4
OMRON AC SERVO DRIVE R88D-UP03HA
SICK C 2000 C2000 C20E-060303A11 + C20S-060103A11 
MITSUBISHI BN624E081
SEW MM15C-503-00 
KEYENCE DL-DN1

随着电力电子、计算机技术的迅速发展，交流调速取代直流调速已成为发展趋势。变频调速以其的调速和启、制动性能被国内外公认为是有发展前途的调速方式。变频技术是交流调速的核心技术，电力电子和计算机技术又是变频技术的核心，而电力电子器件是电力电子技术的基础。电力电子技术是近几年迅速发展的一种高新技术，广泛应用于机电一体化、电机传动、航空航天等领域，现已成为各国竞相发展的一种高新技术。预言，在21世纪高度发展的自动控制领域内，计算机技术与电力电子技术是两项重要的技术。

一、电力电子器件的发展过程

上世纪50年代末晶闸管在美国问世，标志着电力电子技术就此诞生。代电力电子器件主要是可控硅整流器(SCR)，我国70年代将其列为节能技术在全国推广。然而，SCR毕竟是一种只能控制其导通而不能控制关断的半控型开关器件，在交流传动和变频电源的应用中受到限制。70年代以后陆续发明的功率晶体管(GTR)、门极可关断晶闸管(GTO)、功率MOS场效应管(PowerMOSFET)、绝缘栅晶体管(IGBT)、静电感应晶体管(SIT)和静电感应晶闸管(SITH)等，它们的共同特点是既控制其导通，又能控制其关断，是全控型开关器件，由于不需要换流电路，故体积、重量较之SCR有大幅度下降。当前，IGBT以其的特性已成为主流器件，容量大的GTO也有一定地位。

许多国家都在努力开发大容量器件，国外已生产6000V的IGBT。IEGT(injectionenhancedgatethyristor)是一种将IGBT和GTO的优点结合起来的新型器件，已有1000A/4500V的样品问世。IGCT(integratedgateeommutatedthyristor)在GTO基础上采用缓冲层和透明发射极，它开通时相当于晶闸管，关断时相当于晶体管，从而有效地协调了通态电压和阻断电压的矛盾，工作频率可达几千赫兹[2][3]。瑞士ABB公司已经推出的IGCT可达4500一6000V，3000一3500A。MCT因进展不大而引退而IGCT的发展使其在电力电子器件的新格局中占有重要的地位。与发达国家相比，我国在器件制造方面比在应用方面有更大的差距。高功率沟栅结构IGBT模块、IEGT、MOS门控晶闸管、高压砷化稼高频整流二极管、碳化硅(SIC)等新型功率器件在国外有了新发展。可以相信，采用GaAs、SiC等新型半导体材料制成功率器件，实现人们对“理想器件”的追求，将是21世纪电力电子器件发展的主要趋势。

高可靠性的电力电子积木(PEBB)和集成电力电子模块(IPEM)是近期美国电力电子技术发展新热点。GTO和IGCT，IGCT和高压IGBT等电力电子新器件之间的激烈竞争，必将为21世纪世界电力电子新技术和变频技术的发展带来更多的机遇和挑战。