合肥出售晶圆理片器

内圆切割时晶片表层损害层大，给CMP产生挺大黔削抛光工作中；刃口宽。材料损害大。品片出率低；成木高。生产效率低；每一次只有切割一片。当晶圆直径达到300mm时。内圆刀头外径将达到1.18m。内径为410mm。在生产制造、安装与调节上产生许多艰难。故后期主要发展趋势线切别主导的晶圆切割技术。

顶面碎片(TSC, top-side chipping)，它发生晶圆的顶面，变成一个合格率问题，当切片接近芯片的有源区域时，主要依靠刀片磨砂粒度、冷却剂流量和进给速度。背面碎片(BSC, back-side chipping)发生在晶圆的底面，当大的、不规则微小裂纹从切割的底面扩散开并汇合到一起的时候(图1b)。当这些微小裂纹足够长而引起不可接受的大颗粒从切口除掉的时候，BSC变成一个合格率问题。

一种全自动晶圆划片机，包括机架，机架的一侧设置有激光器，激光器的下方设置有旋转划片工作台，其特征在于：机架的另一侧设置有自动放收料装置，自动放收料装置的旁侧设置有理料机构，自动放收料装置与理料机构之间连接有夹料机械手，理料机构与划片工作台之间设置有两组相互错位的吸料机械手。