DS200SDCIG1AFB/IS200BICIH1ACAModule防护箱

DS200SDCIG1AFB/IS200BICIH1ACA Module 防护箱

DS200SDCIG1AFB/IS200BICIH1ACA Module 防护箱

DS200SDCIG1AFB/IS200BICIH1ACA Module 防护箱

IC800SSD216RS1-AB CC
IC800SSD216RS1-CC
IC800SSI104RD2-DE
IC800SSI104RS1-DE CE
IC800SSI107D2-CE
IC800SSI216D2A
IC800SSI228RD2-CE
IC800SSI407RD2-BE A
IC3600ADNA1A
IC3600ADNA1A
IC3600A0AL1D1C
IC3600AMLB1B1B
IC3600AMLG1A
IC3600AOAC1E
IC3600A0AL1D1B
IC3600APABB1
IC3600EPSA1A
IC3600EPSA1A B
IC3600KRST1A
IC3600KRSU1A
IC3600KRSV1A1A
IC3600LIBB1B
IC3600LINA1B
IC3600LINA1B
IC3600LINA1D1B
IC3600LLXA1A
IC3600Q0XC5J1D
IC3600TPSE1B

低压驱动电路的简易栅极驱动

一般功率场效应管的高栅源电压为20V左右，所以在24V应用中要栅源电压不能超过20V，增加了电路的复杂程度。但在12V或更低电压的应用中，电路就可以大大简化。

左图就是一个12V驱动桥的一边，上面电路的三极管部分被两个二极管和两个电阻代替。(注意，跟上图逻辑是反的)由于场效应管栅极电容的存在，通过R3，R4向栅极电容充电使场效应管延缓导通;而通过二极管直接将栅极电容放电使场效应管立即截止，从而避免了共态导通。

这个电路要求在IN端输入的是边缘陡峭的方波脉冲，因此控制信号从单片机或者其他开路输出的设备接入后，要经过施密特触发器(比如555)或者推挽输出的高速比较器才能接到IN端。如果输入边缘过缓，二极管延时电路也就失去了作用。

R3，R4的选取与IN信号边沿升降速度有关，信号边缘越陡峭，R3，R4可以选的越小，开关速度也就可以做的越快。Robocon比赛使用的升压电路(原理相似)中，IN前用的是555。