FF1000R17IE4英飞凌高压IGBT储能电站光伏电网IGBT

FF1000R17IE4

FF1000R17IE4

FF1000R17IE4

FF1000R17IE4

制造商:Infineon
产品种类:IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品:IGBT Silicon Modules
配置:Dual
集电极—发射电压 VCEO:1700 V
集电极—射极饱和电压:2.45 V
在25 C的连续集电极电流:1390 A
栅极—射极漏泄电流:400 nA
Pd-功率耗散:6.25 kW
封装 / 箱体:PRIME3
小工作温度:- 40 C
大工作温度:+ 150 C
封装:Tray
高度:38 mm
长度:250 mm
技术:Si
宽度:89 mm
商标:Infineon Technologies
安装风格:Chassis Mount
栅极/发射电压:20 V
产品类型:IGBT Modules
工厂包装数量:2
子类别:IGBTs
零件号别名:FF1000R17IE4BOSA1 FF1000R17IE4 FF1000R17IE4BOSA1
单位重量:1.2 kg
制造商:Infineon
产品种类:IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品:IGBT Silicon Modules
配置:Dual
集电极—发射电压 VCEO:1700 V
集电极—射极饱和电压:2.45 V
在25 C的连续集电极电流:1390 A
栅极—射极漏泄电流:400 nA
Pd-功率耗散:6.25 kW
封装 / 箱体:PRIME3
小工作温度:- 40 C
大工作温度:+ 150 C
封装:Tray
高度:38 mm
长度:250 mm
技术:Si
宽度:89 mm
商标:Infineon Technologies
安装风格:Chassis Mount
栅极/发射电压:20 V
产品类型:IGBT Modules
工厂包装数量:2
子类别:IGBTs
零件号别名:FF1000R17IE4BOSA1 FF1000R17IE4 FF1000R17IE4BOSA1
单位重量:1.2 kg

制造商:Infineon
产品种类:IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品:IGBT Silicon Modules
配置:Dual
集电极—发射电压 VCEO:1700 V
集电极—射极饱和电压:2.45 V
在25 C的连续集电极电流:1390 A
栅极—射极漏泄电流:400 nA
Pd-功率耗散:6.25 kW
封装 / 箱体:PRIME3
小工作温度:- 40 C
大工作温度:+ 150 C
封装:Tray
高度:38 mm
长度:250 mm
技术:Si
宽度:89 mm
商标:Infineon Technologies
安装风格:Chassis Mount
栅极/发射电压:20 V
产品类型:IGBT Modules
工厂包装数量:2
子类别:IGBTs
零件号别名:FF1000R17IE4BOSA1 FF1000R17IE4 FF1000R17IE4BOSA1
单位重量:1.2 kg

制造商:Infineon
产品种类:IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品:IGBT Silicon Modules
配置:Dual
集电极—发射电压 VCEO:1700 V
集电极—射极饱和电压:2.45 V
在25 C的连续集电极电流:1390 A
栅极—射极漏泄电流:400 nA
Pd-功率耗散:6.25 kW
封装 / 箱体:PRIME3
小工作温度:- 40 C
大工作温度:+ 150 C
封装:Tray
高度:38 mm
长度:250 mm
技术:Si
宽度:89 mm
商标:Infineon Technologies
安装风格:Chassis Mount
栅极/发射电压:20 V
产品类型:IGBT Modules
工厂包装数量:2
子类别:IGBTs
零件号别名:FF1000R17IE4BOSA1 FF1000R17IE4 FF1000R17IE4BOSA1
单位重量:1.2 kg


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