数字量输入输出模9907-014

数字量输入输出模 9907-014

数字量输入输出模 9907-014

数字量输入输出模 9907-014

Omron Sysmac CJ1W-PA205R
SEW Movitrac 31C007-503-4-00 
SEW Eurodrive Sach. Nr. 8230773. 11 UWS21A
Siemens IM 461-1 6ES7 461-1BA01-0AA0 6ES7461-1BA01-0AA0 
Siemens 6SL3060-1FE21-6AA0 
Beckhoff KL6051 RS422
Moeller PS4 ZB4-032-SR1 
Allen Bradley 1771-A2B
Siemens 6ES7 132-4BF00-0AA0 
Siemens Simatic S5 6ES5 482-8MA13 
Riegler MV 1215 G
Siemens 3RK2400-1BT30-0AA3 
Siemens Qty 3RK1200-0CE00-0AA2 
Siemens S5 100U 6ES5 935-8ME11
Phoenix Contact Ethernet FL Switch SF 8TX 2832771
FRIZLEN GAADU 335X60-5 
Gossen Metrawatt U1387
Moeller LE4-116-DD1
Omron PD025 CJ1W-PD025
EUROTHERM 2216e 2216E/NF/VH/XX/FH/FH/2XX/GER/XXXXX/XXXXXX 
Moeller RMQ22 
Micro Innovation CAN-BRIDGE 85 51 224177
Siemens  6ES7 972-0AA01-0XA0 
Schneider Electric Kombi Leitung E-MO-120 DB5/ISH

RAM存储器

(1)SRAM的特点：

SRAM表示静态随机存取存储器，只要供电它就会保持一个值，它没有刷新周期，由触发器构成基本单元，集成度低，每个SRAM存储单元由6个晶体管组成，因此其成本较高。它具有较高速率，常用于高速缓冲存储器。

通常SRAM有4种引脚：

CE：片选信号，低电平有效。

R/W：读写控制信号。

ADDRESS：一组地址线。

DATA：用于数据传输的一组双向信号线。

(2)DRAM的特点：

DRAM表示动态随机存取存储器。这是一种以电荷形式进行存储的半导体存储器。它的每个存储单元由一个晶体管和一个电容器组成，数据存储在电容器中。电容器会由于漏电而导致电荷丢失，因而DRAM器件是不稳定的。它有规律地进行刷新，从而将数据保存在存储器中。

DRAM的接口比较复杂，通常有一下引脚：

CE：片选信号，低电平有效。

R/W：读写控制信号。

RAS：行地址选通信号，通常接地址的高位部分。

CAS：列地址选通信号，通常接地址的低位部分。

ADDRESS：一组地址线。

DATA：用于数据传输的一组双向信号线。