位移监测器T8451

位移监测器  T8451

位移监测器  T8451

位移监测器  T8451

Allen Bradley 1794-IB16 /A

Allen Bradley 1794-IB10XOB6 /A 

Siemens 6ES7151-3AA23-0AB0 

Siemens 7MH4553-1AA41 

Allen Bradley 20-750-ENC-1 /A

Allen Bradley 1492-CABLE025H /A 

Siemens 6FC5154-0AX01-1AE0 

Allen-Bradley 2090-UXNFBMP-S03 /C 

Allen Bradley 20AD5P0F0AYNANNN /A

Allen Bradley 1746-NT4 /B 

Pilz PMI-V315

近年来晶体硅薄膜太阳电池,在国外发展比较迅速。为了使晶体硅薄膜太阳电池达到商业化,努力将实验室结果推向市场,1998年制造出100cm2的薄膜太阳电池,其转换效率为8%。18个月后,其效率在同样面积下达到10.9%,3年后12kW薄膜太阳电池系统投入市场。1994年底美国加利福尼亚成功建立了17.11kW硅薄膜太阳电池方阵系统,这个系统电池是利用高温热分解喷涂法制备的。在薄膜电池上覆盖了一层抗反射层,硅薄膜晶粒为毫米级,具有宏观结构性,减少了蓝色和远红外光的响应。1997年召开的第26届IEEEPVSC、第14届欧洲PVSEC和世界太阳能大会报道了UnitedSo-larSystem薄膜硅太阳电池,转换效率为16.6%,日本的Hanebo为9.8%,美国NREL提供的测试结果,USSA的Si/SiGe/SiGe薄膜电池,面积为903cm2,其转换效率为10.2%,功率为9.2W。

我国晶体硅薄膜电池的研究仍处于实验室阶段。1982年长春应用化学研究所韩桂林等人用CVD法制备出晶体硅薄膜电池,并研究了多晶硅薄膜的生长规律和其基本的物理特性。具体制备工艺如下:在系统中采用高频加热石墨,系统抽真空后通氖气以驱除残留气体,加热石墨至所需温度,随即通入混合气体,在1100℃～1250℃下,SiCl4被H2还原,使硅沉积在衬底上。1998年北京市太阳能研究所赵玉文等报道了SiH2Cl2为原料气体,采用快速热化学气相沉积(RTCVD)工艺在石英反应器中沉积生成多晶硅薄膜,同时研究了薄膜的生长特性、微结构,并研制出多晶硅薄膜太阳能电池,电池结构为金属栅线/p+多晶膜/n多晶硅膜/n+C-硅/金属接触。采用扩硼形成p+层,结深约为1μm,电池面积为1cm2,AM115、100mV/cm2条件下,无减反射涂层,电池转换效率为4.54