IGBT模块结合了MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的高输入阻抗和GTR(大功率晶体管)的低导通压降优点。它能够实现对电能的转换和控制,可用于控制交流电机、变频器、开关电源、新能源发电等电力电子设备中的电流和电压,起到电能转换和电路通断控制的作用。
导通原理:当在IGBT模块的栅极施加正向电压时,栅极下方的P型半导体表面会形成反型层,形成导电沟道,使电子能够从发射极流向集电极,此时IGBT处于导通状态,电流可以从集电极流向发射极,实现电能的传导。
关断原理:当栅极电压降低到一定程度时,导电沟道消失,电子无法顺利通过,IGBT模块进入截止状态,集电极与发射极之间的电流被阻断,从而实现电路的关断。
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6GK5206-2BB00-2AC2 214个
IC695ALG600-DD 1
S1-M3-35 15
WIRE HARNESS 64658727
SWITCH 64674617\ACS800
64607383
FUSE 64720066\ACS800
AC CHOKE 64650947A\ACS800
BUFFER BOARD 3AFE64705563\ACS800
3AFE64637029
3AFE64650149
3AFE58985066
3AFE64435001
AOFC-02
OUTPUT FILTER IND\\68634377
-----AOFI-69
IGBT模块 FS300R17KE3+AGDR-76C
----FS300R17KE3/AGDR-76C