产品特点:
立自主知识产权的直线型单臂机械手,具有高可靠性、高稳定性。
设备配有FFU,采用全封闭结构,可发挥超洁净性能,其洁净度达Class1。
可实现对晶圆缺口的检测并依据缺口位置对晶圆进行定位。
配备CCD传感器及图像处理软件,可对晶圆ID刻号进行识别与读取;
可依据客户需求,非标定制。
顶面碎片(TSC, top-side chipping),它发生晶圆的顶面,变成一个合格率问题,当切片接近芯片的有源区域时,主要依靠刀片磨砂粒度、冷却剂流量和进给速度。背面碎片(BSC, back-side chipping)发生在晶圆的底面,当大的、不规则微小裂纹从切割的底面扩散开并汇合到一起的时候(图1b)。当这些微小裂纹足够长而引起不可接受的大颗粒从切口除掉的时候,BSC变成一个合格率问题。
通常,切割的硅晶圆的质量标准是:如果背面碎片的尺寸在10µm以下,忽略不计。另一方面,当尺寸大于25µm时,可以看作是潜在的受损。可是,50µm的平均大小可以接受,示晶圆的厚度而定。现在可用来控制背面碎片的工具和技术是刀片的优化,接着工艺参数的优化。