武汉销售PTFE花篮PTFE单片花篮

半导体IC制程主要以20世纪50年代以后发明的四项基础工艺（离子注入、扩散、外延生长及光刻）为基础逐渐发展起来，由于集成电路内各元件及连线相当微细，因此制造过程中，如果遭到尘粒、金属的污染，很容易造成晶片内电路功能的损坏，形成短路或断路等，导致集成电路的失效以及影响几何特征的形成。因此在制作过程中除了要排除外界的污染源外，集成电路制造步骤如高温扩散、离子植入前等均需要进行湿法清洗或干法清洗工作。干、湿法清洗工作是在不破坏晶圆表面特性及电特性的前提下，有效地使用化学溶液或气体清除残留在晶圆上之微尘、金属离子及有机物之杂质。

硅片清洗花篮及提把耐强酸，强碱，耐有机溶剂，质地柔软，不损伤硅片，不沾污硅片。专为半导体光伏光电等行业设计的，一体成型，无需担心漏液。主要用于浸泡、清洗带芯片硅片电池片的花篮。由于PFA的特点它能耐受清洗溶液的腐蚀性，同时金属元素空白值低，无溶出无析出，不会污染芯片晶圆等。

密封件的性能好坏对整个机器设备的效率与性能都有很大的影响。PTFE材料具有的耐腐蚀、耐老化、低摩擦系数及不粘性、耐温范围广、弹性好的特性使其非常适合应用于制造耐腐蚀要求高，使用温度100℃的密封件。如机器、热交换器、高压容器、大直径容器、阀门、泵的槽形法兰的密封件，玻璃反应锅、平面法兰、大直径法兰的密封件，轴、活塞杆、阀门杆、蜗轮泵、拉杆的密封件等等。

随着材料应用技术的不断发展，PTFE材料的三大缺点：冷流性、难焊接性、难熔融加工性正在逐渐被克服，从而使它在光学、电子、医学、石油化工输油防渗等多种领域的应用前景更加广阔。

PTFE能承受除熔融碱金属、氟元素和强氟化介质以及300℃的氢氧化钠以外的所有强酸、强碱、强氧化剂、还原剂等的作用。它的耐化学腐蚀性能超过贵金属、玻璃、陶瓷、搪瓷和合金等, 即使原子能工业中的强腐蚀剂上氟化铀对它也不腐蚀。

除熔融金属钠和液氟外，和一切化学药品不反应。在化工生产中，用做设备衬里、分馏塔、波纹管、泵、阀门、密封垫片等；机械工业上，用做密封件、活塞环、转动轴承等；电子工业上，用于电子计算机信号线绝缘、电缆绝缘、高频电子仪器绝缘以及制造高频电缆、电容器、导线等