STWA67N60M6，ST场效应管原装供货

主营产品：MCU单片、存储芯片、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。
STM32F030F4P6特性：
STM32F030x4/x6/x8/xC微控制器集成了Arm®皮质®-工作频率为48 MHz的M0 32位RISC内核、高速嵌入式存储器(高达256千字节的闪存和高达32千字节的SRAM)，以及广泛的增强型外设和I/o。所有设备都提供标准通信接口(多两个I2Cs、多两个SPI和多六个USARTs)、一个12位ADC、七个通用16位定时器和一个控制PWM定时器。
STM32F030x4/x6/x8/xC微控制器采用2.4至3.6V电源供电，工作温度范围为-40至+85°C。一套全面的省电模式支持低功耗应用的设计。
STM32F030x4/x6/x8/xC微控制器包括四种不同封装的器件，从20引脚到64引脚不等。根据所选的设备，包括不同的外设集。以下描述概述了建议的完整系列STM32F030x4/x6/x8/xC外设。
这些特性使STM32F030x4/x6/x8/xC微控制器适合各种应用，如应用控制和用户界面、手持设备、A/V接收器和数字电视、PC外设、游戏和GPS平台、工业应用、PLC、逆变器、打印机、扫描仪、报警系统、视频对讲机和HVACs。
ST意法MOSFET场效应管型号（部分）：
STFH10N60M2
STFH13N60M2
STFH18N60M2
STFI10NK60Z
STFI13N65M2
STFI13NM60N
STFI15N60M2-EP
STFI24N60M2
STFI26NM60N
STFI31N65M5
STFI9N60M2ST/意法常用型号备有大量现货。如需了解更多品牌，产品型号规格请咨询我们的销售人员。

主营产品：MCU单片、存储芯片、晶振、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。
STM32L151RCT6功能描述：
低功耗的STM32L151xC和STM32L152xC器件集成了通用串行总线(USB)与ARM的连接能力®皮质®-M3 32位RISC内核，工作频率为32 MHz (33.3 DMIPS)，内存保护单元(MPU)，高速嵌入式存储器(闪存高达256千字节，RAM高达32千字节)，以及连接到两条APB总线的大量增强I/o和外设。
STM32L151xC和STM32L152xC器件提供两个运算放大器、一个12位ADC、两个DAC、两个低功耗比较器、一个通用32位定时器、六个通用16位定时器和两个基本定时器，可用作时基。
此外，STM32L151xC和STM32L152xC器件包含标准和通信接口:多两个I2C、三个SPI、两个I2S、三个USARTs和一个USB。STM32L151xC和STM32L152xC器件提供多达23个容性检测通道，可为任何应用添加触摸检测功能。
封装：LQFP-64
包装：tape and reel
ST意法MOSFET场效应管型号（部分）：
STF4N62K3
STF5N52K3
STF5N60M2
STF5N80K5
STF5N95K3
STF5N95K5
STF5NK100Z
STF6N60M2
STF7LN80K5
STF7N105K5
STF7N60DM2
ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，以信用为基石，诚意合作。

VNH5200ASTR性能特性：
汽车认证
输出电流:8安
3 V CMOS兼容输入
欠压关闭
过压箝位
热关机
交叉传导保护
电流和功率限制
非常低的待机功耗
防止土地流失和VCC流失
电流检测输出与电机电流成比例
输出受到接地短路和V短路保护抄送
包装:生态包®
ST意法MOSFET场效应管型号（部分）：
STF36N60M6
STF38N65M5
STF3LN80K5
STF3N62K3
STF3NK100Z
STF3NK80Z
STF3NK90Z(046Y)
STF40N60M2
STF42N65M5
STF43N60DM2
STF45N65M5
STF46N60M6ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，以信用为基石，诚意合作。如需了解更多品牌，产品型号规格请咨询我们的销售人员。

主营产品：MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。
STM32G473xB/xC/xE器件基于Arm® Cortex-M4® 32位RISC内核。它们的工作频率高达 170 MHz。
Cortex-M4内核具有单精度浮点单元（FPU），支持所有Arm单精度数据处理指令和所有数据类型。它还实现了一整套DSP（数字信号处理）指令和存储器保护单元（MPU），从而增强了应用的安全性。
这些器件嵌入了高速存储器（512 KB 闪存和 128 KB SRAM）、用于静态存储器的灵活外部存储器控制器 （FSMC）（适用于具有 100 引脚及更多引脚封装的设备）、四通道 SPI 闪存接口以及连接到两条 APB 总线、两条 AHB 总线和一个 32 位多 AHB 总线矩阵的各种增强型 I/O 和外设。
ST意法MOSFET场效应管型号（部分）：
STF13N60M2
STF13N65M2
STF13N80K5
STF13N95K3
STF13NK50Z
STF13NM60N
STF13NM60ND
STF140N6F7
STF14N80K5
STF14NM50N
STF15N65M5
STF15N80K5
STF15NM65N
STF16N65M5ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，更多产品型号规格请咨询我们的销售人员。

STB15N80K5
N沟道800 V、0.3 Ohm典型值、14 A MDmesh K5功率MOSFET，D2PAK封装
这款压N-沟道功率MOSFET s采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此，在要求高功率密度和率的应用中，导通电阻显著降低，并具有极低的栅极电荷。
所有功能：
业界的低 RDS(on)x 面积
业界出色的品质因数（FoM）
极低的栅极电荷
经过100％雪崩测试
稳压保护
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号：
STB6N60M2
STB6NK60ZT4
STB6NK90ZT4
STB75NF20
STB75NF75LT4
STB75NF75T4
STB80NF10T4
STB80NF55L-08-1
STB8NM60T4
STB9NK50ZT4
STD100N10F7
STD100N3LF3
STD10LN80K5
ST/意法常用型号备有大量现货，我们只做原装，欢迎合作！

STE40NC60
N沟道600V 0.098 Ohm 40A ISOTOP POWERMESH II MOSFET
The PowerMESH™二是代网格覆盖的演变™.引入的布局改进地改善了 Ron* 面积品质因数，同时使器件在速度、栅极电荷和性方面保持。
所有功能：
典型 RDS（打开）= 0.098 Ω
雪崩测试
的DV/dt能力
栅极电荷小化
新的高压基准
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号：
STD5N20LT4
STD5N52K3
STD5N52U
STD5N60DM2
STD5N60M2
STD5N95K3
STD5N95K5
STD5NK40Z-1
STD5NK40ZT4
STD5NK50ZT4
STD5NK60ZT4
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