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TEMEX高Q电容5G通信微波电容高射频电容251SHA3R3CSLE替代ATC电容

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TEMEX高Q电容 5G通信微波电容 高射频电容251SHA3R3CSLE替代ATC电容

1. 高Q值


2. 低等效串联电阻/等效串联电感


3. 高自共振


4. 高可靠性【列入美国合格产品名单】


5. 容值范围0.1PF到1000PF


6. 低噪音


ATC是电容制造的**,为您提供改进的100Bs系列射频/微波电容,其等效串联电阻/等效串联电感性能比以前更好。此系列产品工作温度达到175℃A值和高自谐振多层电容,高密度瓷结构提供了坚固,密闭的封装。


典型功能应用:旁路、耦合、调谐、反馈、阻抗匹配和直流阻隔。


典型电路应用:频/微波/射频功率放大器、混频器、振荡器、低噪音放大器、滤波网路、定时时电路、延时电路。


电气和机械特性


品质因数【高Q值】:频率为1MHzS时大于10000


电容温度系数【TCC】


+90±20PPM℃【﹣55℃至﹢125℃】


+90±20PPM℃【﹣125℃至﹢175℃】


绝缘电阻【IR】


0.1PF到470PF


在﹢25℃时,额定直流工作电压下,小10000000兆欧


在﹢125℃时,额定直流工作电压下,小 1000000兆欧


510PF到1000PF


在﹢25℃时,额定直流工作电压下,小10000000兆欧


在﹢125℃时,额定直流工作电压下,小 1000000兆欧


﹢125℃时,额定绝缘电阻比原值降低一个数量级


介质耐压【DWV】


外形尺寸B型:可承受250%额定直流工作电压5秒钟


温度变化复原后容值偏离原值


低于±【0.02%或0.02PF】去二中较大值


老化效应 【无】


压电效应 【无】


容值漂移


低于±【0.02%或0.02PF】去二中较大值

TEMEX高Q电容 5G通信微波电容 高射频电容251SHA3R3CSLE替代ATC电容

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