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世微AP2N10NMOSSOT23场效应管N道沟MOS

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Green Device Available

Super Low Gate ChargeExcellent Cdv/dt effect decline

Advanced high cell density Trenchtechnology​



TheAP2N10 is the high cell density trenchedN-ch MOSFETs, which provides excellent RDSONand efficiency for most of the small powerswitching and load switch applications.Themeet the RoHS and Green Productrequirement with full function reliability approved.​

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