众所周知,在单管封装中,影响器件Rth(j-c)热阻的主要是芯片、焊料和基板。SiC芯片材料的导热率为370W/(m.K),远IGBT的Si(124W/(m.K)),甚至超过金属铝(220W/(m.K)),与Lead Frame的铜(390 W/(m.K))非常接近。而一般焊料的导热率才60 W/(m.K)左右,典型厚度在50-100um,所占整个器件内部Rth(j-c)热阻之权重,是不言而喻的。
使用了GVF预烧结银焊片使器件结温可以超过200°C。因此,GVF预烧结银焊片可以大幅降低功率限额,或者在确保电流相同的情况下缩小芯片尺寸,从而降低电力成本。
SHAREX的预烧结银焊片GVF9800(DTS+TCB(Die Top System +Thick Cu Bonding)是结合了烧结银,铜箔和其他材料的一种复合材料,由以下四个部分组成:具有键合功能的铜箔;预涂布AS9385系列烧结银;烧结前可选用临时固定的胶粘剂;保护膜或者承载物。
GVF预烧结银焊片(DTS+TCB(Die Top System +Thick Cu Bonding)和金,银,铜表面剪切强度都很大。
GVF预烧结银焊片(DTS+TCB(Die Top System +Thick Cu Bonding)可以广泛用于:Die Attach, Die Top Attach, Spacer Attach等。
采用了GVF预烧结银焊片的Diffusion Soldering(扩散焊)技术。简而言之,就是在特定温度和压力条件下,使得SiC芯片的背面金属,与Lead Frame表面金属产生原子的相互扩散,形成可靠的冶金连接,以釜底抽薪之势,一举省去中间焊料,所谓大道至简、惟精惟一,惟GVF预烧结银焊片。一言以蔽之:采用了GVF预烧结银焊片时,降低器件稳态和瞬态热阻,同时提高器件可靠性。
在能源效率新时代,SiC开始加速渗透电动汽车、光伏储能、电动车充电桩、PFC/开关电源、轨道交通、变频器等应用场景,接下来将逐步打开更大的发展空间。