济南生产晶圆导片器晶圆自动倒篮器

晶圆的集成电路制造，为了降低器件热阻、提高工作散热及冷却能力、便于封装，在硅晶圆正面制作完集成电路后，需要进行背面减薄。晶圆的背面研磨工艺，是在晶圆的正面贴一层膜保护已经制作好的集成电路，然后通过研磨机来进行减薄。晶圆背面研磨减薄后，表面会形成一层损伤层，且翘曲度高，容易破片。为了解决这些问题，需要对晶圆背面进行湿法硅腐蚀，去除损伤层，释放晶圆应力，减小翘曲度及使表面粗糙化。使用槽式的湿法机台腐蚀时，晶圆正面及背面均与腐蚀液接触，正面贴的膜耐腐蚀，从而保护正面的集成电路。使用单片作业的湿法机台，晶圆的正面通常已被机台保护起来，不会与腐蚀液或者腐蚀性的气体有接触，可以撕膜后再进行腐蚀。

在许多晶圆的切割期间经常遇到的较窄迹道(street)宽度，要求将每一次切割放在迹道中心几微米范围内的能力。这就要求使用具有高分度轴精度、高光学放大和对准运算的设备。当用窄迹道切割晶圆时的一个常见的推荐是，选择尽可能薄的刀片。可是，很薄的刀片(20µm)是非常脆弱的，更容易过早破裂和磨损。结果，其寿命期望和工艺稳定性都比较厚的刀片差。对于50~76µm迹道的刀片推荐厚度应该是20~30µm。

因为制作工艺决定了它是圆形的。因为提纯过后的高纯度多晶硅是在一个子晶(seed)上旋转生长出来的。多晶硅被融化后放入一个坩埚(Quartz Crucible)中，再将子晶放入坩埚中匀速转动并且向上提拉，则熔融的硅会沿着子晶向长成一个圆柱体的硅锭(ingot)。这种方法就是现在一直在用的 CZ 法(Czochralski)，也叫单晶直拉法。